[发明专利]阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；其特征在于，所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠；

其中，所述TFT的数量为至少2个，包括第一TFT和第二TFT；所述第一TFT和第二TFT共享有源层，且所述第一TFT的漏极和所述第二TFT的漏极分别连接不同的电子元件或功能单元；所述第一TFT的漏极的延伸部与所述栅极层存在交叠，所述第二TFT的漏极的延伸部与所述栅极层也存在交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层还包括与所述TFT的栅极连接的栅极线；

所述延伸部在非TFT区域与所述栅极线存在交叠；所述延伸部与栅极线的交叠部分的长度，不超过交叠处的栅极线的宽度的1/3。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层包括突出部，所述突出部与所述延伸部存在交叠；或者，所述栅极层还包括与所述TFT的栅极连接的栅极线；所述TFT的栅极位于所述栅极线和所述突出部形成的凹槽内。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层中形成有镂空区域，所述TFT位于所述镂空区域内；和/或，

所述TFT可以包括第一漏极和第二漏极；所述第一漏极包括第一漏极主体和第一延伸部，所述第二漏极包括第二漏极主体和第二延伸部；所述第一漏极主体和第二漏极主体均与所述TFT的栅极存在交叠，所述第一延伸部和第二延伸部均在非TFT区域与所述栅极层存在交叠，且所述第一延伸部和第二延伸部的延伸方向不同。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层还包括第一突出部和第二突出部，所述第一TFT的漏极的延伸部与所述第一突出部存在交叠，所述第二TFT的漏极的延伸部与所述第二突出部存在交叠；

其中，所述第一TFT的漏极的延伸部和所述第二TFT的漏极的延伸部分别位于所述栅极层的同一栅极线的两侧，并且，所述第一突出部和第二突出部分别位于所述栅极层的同一栅极线的两侧；和/或，

所述第一TFT的漏极的延伸部和第一突出部之间设置有第一有源层材料层，所述第二TFT的漏极的延伸部和第二突出部之间设置有第二有源层材料层；和/或，

所述第一TFT的漏极的延伸部和第二TFT的漏极的延伸部的面积相等；和/或，

所述第一突出部和第二突出部的面积相等。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层材料层和第二有源层材料层形成为一体；和/或，所述第一有源层材料层和第二有源层材料层，与所述第一TFT和第二TFT共享的有源层相互连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT包括多个梳状的漏极子部，以及对应的梳状的源极子部；和/或，所述延伸部下方设置有源层材料层；和/或，引出电极层通过过孔与所述漏极电性连接，所述过孔位于所述漏极主体与所述延伸部之间；和/或，所述延伸部与漏极主体位于同一直线，且所述延伸部垂直于所述栅极线栅极层；和/或，所述延伸部与栅极层的交叠面积小于或等于所述漏极主体与所述栅极的交叠面积；和/或，所述延伸部的端部为弧形；和/或，所述漏极主体靠近源极的端部小于所述延伸部的端部；和/或，所述漏极主体与所述栅极的交叠电容和所述延伸部与栅极线栅极层的交叠电容之和为固定值。