[发明专利]阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板及显示装置，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠。本发明提出的阵列基板及显示装置，能够解决漏极与栅极线的交叠面积发生波动的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及显示装置。

背景技术

采用有源矩阵驱动方式的显示装置中，通常要利用TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)来完成像素驱动。因此，在有源矩阵驱动方式的显示装置中，需要制作数量较多的TFT。

但是，本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术至少存在以下技术问题：

在制作TFT的过程中，由于工艺或设备偏差等原因，TFT的漏极会发生偏移，使得漏极与栅线的交叠面积发生波动，影响TFT稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的之一在于提出一种阵列基板及显示装置，能够减轻、防止或解决漏极与栅极线的交叠面积发生波动的问题。

基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠。

可选的，所述栅极层还包括与所述TFT的栅极连接的栅极线；

所述延伸部在非TFT区域与所述栅极线存在交叠；所述延伸部与栅极线的交叠部分的长度，不超过交叠处的栅极线的宽度的1/3。

可选的，所述栅极层包括突出部，所述突出部与所述延伸部存在交叠。

可选的，所述栅极层还包括与所述TFT的栅极连接的栅极线；所述TFT的栅极位于所述栅极线和所述突出部形成的凹槽内。

可选的，所述栅极层中形成有镂空区域，所述TFT位于所述镂空区域内。

可选的，所述TFT可以包括第一漏极和第二漏极；所述第一漏极包括第一漏极主体和第一延伸部，所述第二漏极包括第二漏极主体和第二延伸部；所述第一漏极主体和第二漏极主体均与所述TFT的栅极存在交叠，所述第一延伸部和第二延伸部均在非TFT区域与所述栅极层存在交叠，且所述第一延伸部和第二延伸部的延伸方向不同。

可选的，所述TFT的数量为至少2个，包括第一TFT和第二TFT；所述第一TFT和第二TFT共享有源层，且所述第一TFT的漏极和所述第二TFT的漏极分别连接不同的电子元件或功能单元；所述第一TFT的漏极的延伸部与所述栅极层存在交叠，所述第二TFT的漏极的延伸部与所述栅极层也存在交叠。

可选的，所述栅极层还包括第一突出部和第二突出部，所述第一TFT的漏极的延伸部与所述第一突出部存在交叠，所述第二TFT的漏极的延伸部与所述第二突出部存在交叠；

其中，所述第一TFT的漏极的延伸部和第二TFT的漏极的第四延伸部分别位于所述栅极层的同一栅极线的两侧，并且，所述第一突出部和第二突出部分别位于所述栅极层的同一栅极线的两侧。

可选的，所述第一TFT的漏极的延伸部和第一突出部之间设置有第一有源层材料层，所述第二TFT的漏极的延伸部和第二突出部之间设置有第二有源层材料层。

可选的，所述第一TFT的漏极的延伸部和第二TFT的漏极的延伸部的面积相等。

可选的，所述第一突出部和第二突出部的面积相等。