[发明专利]漏电流检测装置及其检测方法有效
申请号: | 201710722782.3 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN109425802B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 蒋汝安 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电 检测 装置 及其 方法 | ||
1.一种漏电流检测装置,用于检测受测电路在闲置状态时产生的漏电电流,其特征在于,包括:
电容,耦接在检测端点与参考接地端间;
预充电电路,耦接至所述检测端点,于第一时间区间提供预充电流对所述电容进行预充电动作;
放电电流产生器,耦接至所述检测端点及所述受测电路,在所述受测电路在所述闲置状态下,且在第二时间区间,依据所述漏电电流产生放电电流,并使所述电容依据所述放电电流执行放电动作;以及
检测结果产生器,耦接所述电容,在所述第二时间区间中依据比较所述检测端点上的电压值与预设的参考电压的电压值来产生漏电检测结果,
其中,所述第一时间区间发生在所述第二时间区间之前。
2.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述检测结果产生器包括:
闩锁器,提供临界电压以做为所述参考电压,并依据致能信号在所述第二时间区间中的取样时间点依据判断所述检测端点上的电压值是否小于所述临界电压以产生所述漏电检测结果。
3.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述检测结果产生器包括:
比较器,依据比较所述检测端点上的电压值是否小于所述参考电压以产生所述漏电检测结果。
4.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,还包括:
工作电压产生器,用于产生工作电压,
其中,所述工作电压产生器接收所述漏电检测结果,并依据所述漏电检测结果以决定是否调降所述工作电压的电压值,当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于临界值时,所述工作电压产生器调降所述工作电压一偏移值。
5.根据权利要求4所述的漏电流检测装置,其特征在于,当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第一临界值时,所述工作电压产生器调降所述工作电压一第一偏移值,当所述漏电检测结果表示所述漏电电流大于第二临界值时,所述工作电压产生器调降所述工作电压一第二偏移值,
其中,所述第一临界值小于所述第二临界值,所述第一偏移值小于所述第二偏移值。
6.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述放电电流产生器包括:
电流镜电路,耦接在所述受测电路耦接至所述参考接地端的路径间,所述电流镜电路在所述第二时间区间中,依据镜射所述漏电电流以产生所述放电电流。
7.根据权利要求6所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述电流镜电路包括:
第一晶体管,其第一端耦接至所述受测电路与所述第一晶体管的控制端;
第二晶体管,其第一端耦接至所述第一晶体管的第二端,所述第二晶体管的第二端耦接至所述参考接地端;
第三晶体管,其第一端耦接至所述检测端点,所述第三晶体管的控制端耦接至所述第一晶体管的控制端;以及
第四晶体管,其第一端耦接至所述第三晶体管的第二端,所述第四晶体管的第二端耦接至所述参考接地端,所述第四晶体管的控制端耦接至所述第二晶体管的控制端。
8.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述预充电电路包括:
晶体管,其第一端耦接至充电电压,所述晶体管的第二端耦接至所述检测端点,所述晶体管的控制端耦接至预充电信号。
9.根据权利要求1所述的漏电流检测装置,其特征在于,所述受测电路设置在集成电路的核心电路区域中。
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