[发明专利]封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种封装结构的制作方法，其特征是，包含步骤：

(A)提供一承载板及复数个电路元件，该承载板具有一第一表面，该复数个电路元件各具有一第二表面及一相对该第二表面的第三表面，且该复数个电路元件各在其第三表面上具有一连接端；

(B)在该承载板上形成一第一高分子材料层，使得该第一高分子材料层完全覆盖该承载板的第一表面；

(C)在各个该复数个电路元件上形成一第二高分子材料层，使得该第二高分子材料层完全覆盖各个该复数个电路元件的第二表面；

(D)将该复数个电路元件放置于该承载板上，使得该第二高分子材料层贴合该第一高分子材料层；

(E)在该承载板上形成一第一高充填剂含量介电材料层，使其包覆该电路元件；

(F)在该第一高充填剂含量介电材料层内形成一第一导电通道，并在该第一导电通道上形成一第一导电线路，使得该第一导电通道连接该第一导电线路与该连接端；

(G)在该第一高充填剂含量介电材料层上形成一第二高充填剂含量介电材料层，使其包覆该第一导电线路，并覆盖该第一高充填剂含量介电材料层；

(H)在该第二高充填剂含量介电材料层内形成一第二导电通道，使得该第二导电通道连接至该第一导电线路；

(I)移除该承载板而得到一包括该复数个电路元件的封装结构半成品；以及

(J)分割该封装结构半成品而得到复数个封装结构，使得该复数个封装结构各具有该复数个电路元件的其中之一。

2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于：步骤(B)中，该第一高分子材料层是以压合或涂布方式形成，并对该第一高分子材料层进行烘烤。

3.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于：步骤(C)中，该第二高分子材料层是以压合、涂布或印刷方式形成，并对该第二高分子材料层进行烘烤。

4.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于：步骤(F)中，该第一导电通道的形成方式包含：

以激光钻孔方式在该第一高充填剂含量介电材料层内及该电路元件的该连接端上形成一贯孔；以及

以电镀方式在该贯孔中充填导电材料。