[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 201710725410.6 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107706182A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 宋豪杰;徐强;李广济;邵明;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 制备 方法 及其 结构 | ||
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区；
在所述基板上形成表面平坦的绝缘层以覆盖上述外围电路区和阵列存储区；
在所述阵列存储区中形成存储单元的沟道区；
对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化，刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔；
在所述阵列存储区形成存储单元的金属栅；
对所述阵列存储区上的绝缘层进行图形化，刻蚀以及金属填充以形成与所述阵列存储区的每一个金属栅电连接的多个第二接触孔。
2.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：形成所述阵列存储区包括在所述基板上交替形成氮化硅层和氧化硅层的多层堆叠结构；利用光刻工艺在所述多层堆叠结构的至少一侧形成台阶区以使每一氮化硅层的一部分上表面被暴露于台阶区。
3.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述对所述外围电路区上的绝缘层进行图形化，刻蚀以及金属填充以形成与所述外围电路区电连接的多个第一接触孔之后，还包括对所述基板表面进行化学机械掩膜的步骤。
4.如权利要求3所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述对所述基板表面进行化学机械掩膜的步骤之后，还包括在所述基板上沉积二氧化硅帽层的步骤，以保护所述第一接触孔中的金属填充不被后续工艺破坏。
5.如权利要求4所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅帽层的厚度大于2000埃。
6.如权利要求4所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述在所述阵列存储区形成存储单元的金属栅之后，还包括在所述二氧化硅帽层上沉积二氧化硅填充层的步骤。
7.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述金属填充所使用的金属材料为钨。
8.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述金属栅的材料为钨。
9.如权利要求1所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述阵列存储区的第二接触孔的顶部与所述外围电路区的第一接触孔的顶部不在一个水平面。
10.如权利要求9所述的一种三维存储器的制备方法，其特征在于：所述阵列存储区的第二接触孔的顶部高于所述外围电路区的第一接触孔的顶部。
11.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构是由如权利要求1-10任意一项所述的方法制备得到的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
