[发明专利]一种堆叠封装方法及结构

权利要求书

1.一种堆叠封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

在晶圆内成型的第一芯片上制备第一焊盘，在所述第一焊盘上制备第一导电柱，所述第一导电柱底部的尺寸不小于第一焊盘的尺寸；

在所述第一芯片的上方设置一个或者多个第二芯片，在所述第二芯片上制备第二焊盘，在所述第二焊盘上设置有第二导电柱，所述第二导电柱底部的尺寸不小于第二焊盘的尺寸；

在所述晶圆的表面进行封装，形成封装层；

将所述封装层进行减薄，减薄至所述第一导电柱和所述第二导电柱的端部露出；

在所述封装层上制备线路层，所述线路层连接所述第一导电柱和所述第二导电柱；

在所述线路层上制备凸点。

2.根据权利要求1所述的堆叠封装方法，其特征在于，当所述第二芯片为多个时,所述第二芯片可以为相同的芯片,也可以为不同的芯片。

3.根据权利要求1所述的堆叠封装方法，其特征在于，所述第一导电柱的高度不小于所述第二芯片的厚度。

4.根据权利要求1所述的堆叠封装方法，其特征在于，所述将所述封装层进行减薄，减薄至所述第一导电柱和所述第二导电柱的端部露出的步骤中，所述第一导电柱和第二导电柱低于或者高于所述封装层表面。

5.根据权利要求1-4任一所述的堆叠封装方法，其特征在于，所述在所述线路层上制备凸点的步骤之后，还包括：

将所述晶圆进行切割，形成单颗半导体器件。

6.一种使用权利要求1-5任一方法制备的半导体器件。

7.一种半导体器件结构，其特征在于，包括依次层叠的第一芯片和第二芯片以及用于将所述第一芯片和第二芯片进行键合的键合层，所述第一芯片和第二芯片上方有封装层，所述第一芯片具有第一焊盘，所述第二芯片具有第二焊盘，在所述封装层内部成型有连接所述第一焊盘的第一导电柱和连接所述第二焊盘的第二导电柱，所述第一导电柱底部的尺寸不小于第一焊盘的尺寸，所述第二导电柱底部的尺寸不小于第二焊盘的尺寸，且所述第一导电柱和第二导电柱贯穿所述封装层，所述封装层上有线路层，所述线路层连接所述第一导电柱和第二导电柱，所述线路层上设置有凸点，所述凸点连接所述线路层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一导电柱的高度不小于所述第二芯片的厚度。

9.根据权利要求7或者8所述的半导体器件结构，其特征在于，当所述第二芯片为多个时，所述第二芯片可以为相同的芯片，也可以为不同的芯片。