[发明专利]用于集成电路裸片的自对准的方法和装置在审
申请号: | 201710725792.2 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107799450A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | L-C·王;M·雅各布斯 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,董典红 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 对准 方法 装置 | ||
1.一种方法,包括:
在基板表面上以一种图案形成疏水材料,所述图案暴露所述基板表面的用于放置集成电路(IC)裸片的区域;
向暴露区域施加水基溶液,使得所述水基溶液的液滴形成在所述基板表面的所述暴露区域上;
将IC裸片放置在形成于所述基板表面的所述暴露区域上的所述水基溶液的所述液滴上;以及
使所述水基溶液的所述液滴蒸发,使得所述IC裸片安置在所述基板表面的所述暴露区域上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上有效地使所述IC裸片与所述基板表面的所述暴露区域自对准。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,使所述水基溶液的所述液滴蒸发包括向所述基板或所述水基溶液的液滴施加热。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基板的所述暴露区域具有基本上为矩形或方形的形状。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述疏水材料被施加于其中的所述图案被配置成使得所述基板表面的所述暴露区域基本上匹配所述IC裸片的覆盖区。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,形成在所述基板表面上的所述疏水材料的厚度的范围为从约为1微米至20微米。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述基板表面包括粘合剂材料层;
所述方法还包括在所述粘合剂材料层上形成所述疏水材料;以及
使所述水基溶液的所述液滴蒸发有效地经由所述粘合剂材料层将所述IC裸片粘附到所述基板表面的所述暴露区域。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述疏水材料包括氮化硅或氧化硅。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基板表面或驻留在所述基板表面上的粘合剂层是亲水的。
10.一种装置,包括:
用于支撑集成电路(IC)裸片载体的固定件;
第一模块,所述第一模块被配置成在所述IC裸片载体的表面上形成疏水材料的图案,所述图案暴露所述IC裸片载体的所述表面的亲水区域;
第二模块,所述第二模块被配置成将水基溶液的液滴施加到所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域;
第三模块,所述第三模块被配置成将所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上;以及
第四模块,所述第四模块被配置成加热所述IC裸片载体以有效地使所述水基溶液的所述液滴蒸发,使得所述IC裸片安置在所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域上。
11.根据权利要求10所述的装置,其中,将所述IC裸片放置在所述水基溶液的所述液滴上有效地使所述IC与所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域自对准。
12.根据权利要求10所述的装置,其中:
所述第一模块被进一步配置成形成具有厚度约为1微米至20微米的疏水材料的所述图案;或者
所述第二模块被进一步配置成施加水基溶液的液滴,使得所述液滴具有大约5微米至30微米的厚度。
13.根据权利要求10所述的装置,其中,所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域的形状基本上是矩形或方形。
14.根据权利要求10所述的装置,其中,所述基板表面包括粘合剂材料层,并且使所述水基溶液的所述液滴蒸发有效地经由所述粘合剂材料层将所述IC裸片粘附到所述IC裸片载体的所述表面的所述亲水区域。
15.根据权利要求10所述的装置,其中,形成在所述IC裸片载体的所述表面上的所述疏水材料包括氮化硅或氧化硅。
16.根据权利要求10所述的装置,其中,所述IC裸片载体包括玻璃、金属或硅。
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