[发明专利]用于集成电路裸片的自对准的方法和装置在审
申请号: | 201710725792.2 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107799450A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | L-C·王;M·雅各布斯 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,董典红 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 对准 方法 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本公开内容要求于2016年9月6日提交的美国临时专利申请No.62/383,921的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
本文提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的环境的目的。除非另有说明,否则本章节中描述的方法不是本公开的权利要求的现有技术,并且不由于被包含在本章节中而承认是现有技术。
在大多数芯片制造工艺期间,集成电路(IC)裸片从硅晶圆被单片化(例如,被分离)并且被安装到裸片载体以用于后续处理。然而,将IC裸片安装到裸片载体常常需要高精度级别以确保裸片相对于彼此或裸片载体本身的正确放置。典型的IC裸片安装设备和机器依赖于机械能力来实现这种裸片放置精度级别。由于这种对机械能力的依赖性,其时常是缓慢而耗时的,所以这些IC裸片安装设备和机器就填充裸片载体而言具有低吞吐量。这些机器的低吞吐量不仅减慢了芯片制造,而且由于每个IC裸片在裸片安装机器和相关设备中花费的延长的时间量也增加了与每个芯片相关联的制造成本。
发明内容
提供本发明内容以用于介绍在具体实施方式和附图中进一步描述的主题。因此,本发明内容不应被视为描述基本特征,也不应用来限制所要求保护的主题的范围。
在一些方面中,描述了一种在基板表面上形成疏水材料的图案的方法。该图案可以被配置或预定义成暴露基板表面以用于集成电路(IC)裸片放置的区域。将水基溶液施加到该区域,使得液滴形成在基板表面的暴露区域上。该方法将IC裸片放置在水基溶液的液滴上,这可能致使IC裸片与基板表面的暴露区域对准。然后,使液滴蒸发,使得IC裸片安置于基板表面的暴露区域上。
在其他方面中,描述了一种包括支撑IC裸片载体的固定件(fixture)的装置。该装置的第一模块被配置成在IC裸片载体的表面上形成疏水材料的图案,其暴露IC裸片载体的表面的亲水区域。第二模块被配置成将水基溶液的液滴施加到IC裸片载体的表面的亲水区域,以及第三模块被配置成将IC裸片放置在水基溶液的液滴上。该装置的第四模块被配置成加热IC裸片载体以有效地使水基溶液的液滴蒸发,使得IC裸片安置在IC裸片载体的表面的暴露区域上。
在其它方面,描述了一种在IC裸片载体的粘合剂层上形成疏水材料的图案的方法。该图案可以定义用于接收IC裸片的粘合剂层的区域,粘合剂层是亲水的。将水施加到粘合剂层的定义区域,使得水的液滴形成在IC载体的粘合剂层的定义区域上。该方法将IC裸片放置在水滴上,使得液滴的表面张力将IC裸片与IC载体的粘合剂层的定义区域对准。然后,IC裸片载体和水滴被加热以有效地使水滴蒸发并且使对准的IC裸片安置在IC载体的粘合剂层的定义区域上。
在附图和以下描述中阐述了一个或多个实现的细节。其他特征和优点将从描述和附图以及从权利要求书中变得显而易见。
附图说明
在附图和下面的详细描述中阐述了用于实现集成电路裸片的自对准的一个或多个方面的细节。在附图中,附图标记的最左边的数字表示该附图标记首次出现的附图。在描述和附图中在不同情况中使用相同的附图标记可以表示相似元件:
图1图示了包括集成电路(IC)裸片接合设备的示例操作环境。
图2图示了根据一个或多个方面的基板和疏水材料层的示例。
图3图示了用于实现自对准IC裸片的示例方法。
图4图示了根据一个或多个方面配置的示例基板的横截面。
图5图示了其上驻留液滴并且放置裸片的示例基板的横截面。
图6图示了使用水滴使IC裸片与IC裸片载体自对准的示例方法。
图7图示了具有疏水材料层的基板和该基板上的IC裸片的自对准放置的示例。
图8图示了根据一个或多个方面的将自对准的IC裸片安置到基板上的示例。
图9图示了可以用IC裸片来实现的示例的片上系统(SoC)。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造