[发明专利]GOA阵列基板及TFT显示大板有效
申请号: | 201710725798.X | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107329341B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 陈仁禄;陈书志 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | goa 阵列 tft 显示 | ||
1.一种GOA阵列基板,包括:
衬底基板(100),包括位于中部的显示区域(101)以及位于所述显示区域外围的非显示区域(102);
GOA驱动电路(200),设于所述衬底基板(100)的非显示区域(102)上,包括多个各级联的GOA单元;
其特征在于,每一所述GOA单元均包括相连接的电容结构和TFT结构;
每一所述TFT结构均包括一对同层且相间隔的源极(211)和漏极(212),其中,所述源极(211)包括并列相连的多个源极单元(2111),所述漏极(212)包括多个并列相连的且与所述多个源极单元(2111)一一对应的漏极单元(2121),每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)构成源漏极单元组,每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)之间构成沟道区单元;
每一所述电容结构均包括与所述源极(211)和漏极(212)同层设置的第二电极(221);
所述多个GOA单元的电容结构中至少有一个电容结构为测试电容结构,该测试电容结构的第二电极(221)为TFT测试键(2210),该TFT测试键(2210)包括第一测试部(2211)、第二测试部(2212)、及连接所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)的第三连接部(2213),其中,所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)分别对应所述TFT结构中的源极单元(2111)的形状和漏极单元(2121)的形状设置,所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同。
2.如权利要求1所述的GOA阵列基板,其特征在于,还包括设于所述衬底基板(100)的显示区域(101)上的TFT阵列结构,所述TFT阵列结构包括多条相平行的扫描线(301);所述GOA驱动电路(200)用于对所述TFT阵列结构的多条扫描线(301)进行驱动。
3.如权利要求2所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述多个GOA单元分为多个正常GOA单元(201)和多个虚拟GOA单元(202);其中,所述多个正常GOA单元(201)与所述显示区域(101)上的多条扫描线(301)一一对应的连接,分别用以向对应的扫描线(301)输出扫描信号;所述多个虚拟GOA单元(202)分别用于向正常GOA单元(201)输出复位信号。
4.如权利要求3所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述测试电容结构为所述虚拟GOA单元(202)的电容结构。
5.如权利要求4所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述多个虚拟GOA单元(202)的电容结构均为测试电容结构。
6.如权利要求3所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述测试电容结构为所述正常GOA单元(201)的电容结构。
7.如权利要求1所述的GOA阵列基板,其特征在于,每一电容结构还包括设于所述第二电极(221)下方的绝缘层以及设于所述绝缘层下方的第一电极;
每一TFT结构还包括位于所述衬底基板上的栅极以及设于所述栅极上的栅极绝缘层;
所述第一电极与所述栅极同层设置,所述绝缘层与所述栅极绝缘层同层设置。
8.如权利要求1所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述TFT测试键(2210)与所述源极(211)和漏极(212)通过采用光罩在同一黄光制程中蚀刻制得。
9.如权利要求1所述的GOA阵列基板,其特征在于,所述GOA驱动电路(200)左右对称的设于所述显示区域(101)两侧。
10.一种TFT显示大板,其特征在于,包括多个相互间隔排列的如权利要求1-9中任一项所述的GOA阵列基板。
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