[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器

权利要求书

1.一种开关器件封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板上设置有第一金属布线框；

高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在所述第一金属布线框上；

设置于所述基板之上的MOSFET，所述MOSFET与所述高电子迁移率晶体管串联，

其中，所述高电子迁移率晶体管的栅极与所述MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，所述高电子迁移率晶体管的源极与所述MOSFET的漏极相连，所述MOSFET的栅极作为所述开关器件的栅极，所述高电子迁移率晶体管的漏极作为所述开关器件的漏极，所述MOSFET的Vds电压值的绝对值与所述高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等。

2.如权利要求1所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述基板上还设置有第二金属布线框，其中，所述MOSFET设置在所述第二金属布线框上。

3.如权利要求2所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述第一金属布线框和所述第二金属布线框由铜材料、铜镀锡材料或铜镀银材料制成。

4.如权利要求2所述的开关器件封装结构，其特征在于，还包括隔热层，所述隔热层设置在所述第一金属布线框与所述第二金属布线框之间以减少所述高电子迁移率晶体管对所述MOSFET的热干扰。

5.如权利要求1所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述MOSFET为Si基低压MOSFET。

6.如权利要求1所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管为耗尽型高压高电子迁移率晶体管。

7.如权利要求1所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管和所述MOSFET一体封装。

8.如权利要求1-7中任一项所述的开关器件封装结构，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管为GaN高电子迁移率晶体管。

9.一种用于空调器的电控板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的开关器件封装结构。

10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求9所述的用于空调器的电控板。