[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器

说明书

技术领域

本发明涉及空调器领域，特别涉及一种开关器封装结构件、一种用于空调器的电控板以及一种空调器。

背景技术

GaN器件被誉为第三代半导体器件，因其优异的特性，已开始应用于电力电子领域。相关技术中的GaN器件可以分为增强型和耗尽型两种。

以增强型GaN器件来说，单体增强型GaN器件来说的额定电压较大，最大能达到250V。但是，由于单体增强型GaN的驱动电压较大，与其最大栅源电压(栅极与源极之间的电压)比较接近，例如单体增强型GaN器件完全导通的驱动电压为4.5V～5.5V，而其最大栅源电压为6V，因此，增强型GaN器件对驱动设计要求较高，导致驱动设计难度较大、复杂性较高，成本较高。

以耗尽型GaN器件来说，单体耗尽型GaN的驱动电压范围较宽，可为-30～2V，器件完全导通的驱动电压为-5V。但是，由于耗尽型GaN为常通型器件，使用时需要负压关断，因此有短路直通的潜在危险。

此外，相关技术中GaN器件大多采用正装方式安装，但是，由于GaN器件的热量产生于栅极下面的沟道，GaN器件的发热通过衬底Si传导散发，因此，导致GaN器件的热阻整体较高。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种高散热且更节能、更适用于高频使用的开关器件。

本发明的第二个目的在于提出一种用于空调器的电控板。

本发明的第三个目的在于提出一种空调器。

为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种开关器件封装结构，包括：基板，所述基板上设置有第一金属布线框；高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在所述第一金属布线框上；设置于所述基板之上的MOSFET，所述MOSFET与所述高电子迁移率晶体管串联，其中，所述高电子迁移率晶体管的栅极与所述MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，所述高电子迁移率晶体管的源极与所述MOSFET的漏极相连，所述MOSFET的栅极作为所述开关器件的栅极，所述高电子迁移率晶体管的漏极作为所述开关器件的漏极，所述MOSFET的Vds电压值的绝对值与所述高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等。

根据本发明实施例提出的开关器件封装结构，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等。由此，本发明实施例的开关器件，通过将MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，使本器件和Si器件在使用上有很好的兼容性，有效降低成本，还可防止短路直通的危险发生。另外，高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在第一金属布线框上，从而增加高电子迁移率晶体管部分的散热性能，降低高电子迁移率晶体管的热阻。

另外，根据本发明上述实施例提出的开关器件还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述基板上还设置有第二金属布线框，其中，所述MOSFET设置在所述第二金属布线框上。

根据本发明的一个实施例，所述的开关器件封装结构还包括隔热层，所述隔热层设置在所述第一金属布线框与所述第二金属布线框之间以减少所述高电子迁移率晶体管对所述MOSFET的热干扰。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属布线框和所述第二金属布线框由铜材料、铜镀锡材料或铜镀银材料制成。

根据本发明的一个实施例，所述MOSFET为Si基低压MOSFET。

根据本发明的一个实施例，所述高电子迁移率晶体管为耗尽型高压高电子迁移率晶体管。

根据本发明的一个实施例，所述高电子迁移率晶体管和所述MOSFET一体封装。

根据本发明的一个实施例，所述高电子迁移率晶体管为GaN高电子迁移率晶体管。

为达到上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种用于空调器的电控板，包括所述的开关器件封装结构。

根据本发明实施例提出的用于空调器的电控板，可提高电控板的性能。

为达到上述目的，本发明第三方面实施例提出了一种空调器，包括所述的用于空调器的电控板。

根据本发明实施例提出的空调器，可提高空调器的性能。

附图说明