[发明专利]一种3DNAND闪存结构中硅外延生长的工艺

权利要求书

1.一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

沉积衬底堆叠结构；

刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；

清洗所述沟道和硅槽；

高温退火处理；

硅外延生长预清洗；

硅外延生长。

2.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述沉积衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，在所述衬底表面形成多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化物层，所述牺牲介质层为氮化硅层，从而形成NO堆叠结构(NO Stacks)。

3.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述刻蚀衬底堆叠结构，具体为，采用各向异性的干法刻蚀工艺垂直向下刻蚀所述衬底堆叠结构以形成沟道，所述沟道通至所述衬底并形成一定深度的硅槽。

4.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

清洗所述沟道和硅槽，包括刻蚀后处理(Post Etch Treatment)和湿法清洗。

5.根据权利要求4所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述刻蚀后处理为，采用氮气(N₂)、氮气(N₂)和一氧化碳(CO)的混合气体或氮气(N₂)和氢气(H₂)的混合气体对被刻蚀的硅槽区域进行吹扫。

6.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述高温退火处理在硅槽表面形成一层氧化物修复层。

7.根据权利要求6所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述高温退火处理是在惰性保护环境下，在750-1200℃的条件下处理60-180分钟。

8.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述硅外延生长预清洗，具体采用湿法清洗和/或等离子体清洗。

9.根据权利要求1所述的一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，其特征在于：

所述硅外延生长是在硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)。

10.一种3D NAND闪存结构，其特征在于：所述闪存结构中的硅外延生长由权利要求1-9任意一项所述的工艺制备得到。