[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成半导体鳍；

在所述衬底上方形成隔离区域，并且所述隔离区域围绕所述半导体鳍的下部；

在半导体鳍和所述隔离区域上方形成栅极堆叠件；

以所述栅极堆叠件作为掩模凹进所述半导体鳍；

在凹进的所述半导体鳍的上方邻近所述栅极堆叠件选择性地生长源极/漏极区，所述源极/漏极区具有第一切面的侧壁，第二切面的侧壁以及从所述第一切面的侧壁延伸至所述第二切面的侧壁的顶表面，其中所述第一切面的侧壁包括具有(110)晶体学取向的第一表面；以及

在选择性地生长所述源极/漏极区之后重新成形所述源极/漏极区，其中，通过所述重新成形从所述源极/漏极区去除所述第一切面和所述第二切面以形成垂直的侧壁，其中，重新成形的所述源极/漏极区的顶表面与所述衬底的主表面平行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在选择性地生长所述源极/漏极区之后并且在重新成形所述源极/漏极区之前，所述源极/漏极区具有菱形形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极/漏极区包括硅和磷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，重新成形所述源极/漏极区包括使所述源极/漏极区与蚀刻前体接触。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻前体是盐酸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体鳍包括相邻且间隔开的第一半导体鳍和第二半导体鳍，选择性地生长所述源极/漏极区包括：

在凹进的所述第一半导体鳍上生长所述源极/漏极区的第一部分；以及

在所述第二半导体鳍上生长所述源极/漏极区的第二部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，选择性地生长所述源极/漏极区还包括合并所述源极/漏极区的所述第一部分和所述源极/漏极区的所述第二部分。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍和第二鳍；

在所述衬底上方形成隔离区域，并且所述隔离区域围绕所述第一鳍和所述第二鳍的下部；在所述第一鳍、所述第二鳍以及所述隔离区域上方形成栅极堆叠件，所述隔离区域包括用于将所述第一鳍和所述第二鳍彼此隔离的第一隔离区以及用于将所述第一鳍和所述第二鳍与所述衬底的其他部分的隔离的第二隔离区，所述第二隔离区具有从所述衬底的顶部延伸比所述第一隔离区更深的距离；

以所述栅极堆叠件作为掩模凹进所述第一鳍和所述第二鳍；

在凹进的所述第一鳍上方生长第一源极/漏极区以及在凹进的所述第二鳍上方生长第二源极/漏极区；

合并所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区以形成合并的源极/漏极区；以及

重新成形所述合并的源极/漏极区，其中，重新成形所述合并的源极/漏极区包括选择性蚀刻所述合并的源极/漏极区，其中，在平行于所述衬底的主表面的方向上的蚀刻速率大于在垂直于所述衬底的所述主表面的方向上的蚀刻速率，其中，通过所述重新成形从所述合并的源极/漏极区去除切面，并且所述切面具有(110)晶向的表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，至少部分地利用外延生长工艺实施生长所述第一源极/漏极区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，重新成形的所述合并的源极/漏极区的顶面与所述衬底的主表面平行。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，重新成形的所述合并的源极/漏极区的顶面与所述第一隔离区的顶面平行。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，在重新成形所述合并的源极/漏极区之后，所述合并的源极/漏极区具有垂直的侧壁。