[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法和所得到的结构。在实施例中，生长源极/漏极区。一旦生长源极/漏极区，就重新成形源极/漏极区以便去除切面。可以使用蚀刻工艺实施重新成形，由此源极/漏极区的横向蚀刻速率大于源极/漏极区的垂直蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体产业通过最小部件尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的区域中集成更多的组件。然而，随着最小部件尺寸减小，出现了应该解决的额外的问题。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，所述半导体鳍位于衬底上方；邻近所述栅极堆叠件选择性地生长源极/漏极区；以及在选择性地生长所述源极/漏极区之后重新成形所述源极/漏极区，其中，重新成形所述源极/漏极区形成垂直的侧壁。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一鳍上方生长第一源极/漏极区以及在第二鳍上方生长第二源极/漏极区，所述第一鳍和所述第二鳍位于衬底上方；合并所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区以形成合并的源极/漏极区；以及重新成形所述合并的源极/漏极区，其中，重新成形所述合并的源极/漏极区包括选择性蚀刻所述合并的源极/漏极区，其中，在平行于所述衬底的主表面的方向上的蚀刻速率大于在垂直于所述衬底的所述主表面的方向上的蚀刻速率。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种半导体器件，包括：第一半导体鳍上方的栅极堆叠件，位于衬底上方；间隔件，邻近所述栅极堆叠件；源极/漏极区，邻近所述间隔件，所述源极/漏极区包括：第一表面，背离所述衬底；以及第二表面，其中，所述第二表面是垂直的。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A至图1C示出根据一些实施例的finFET器件。

图2A至图2E示出根据一些实施例的源极/漏极区的生长工艺。

图3A至图3B示出根据一些实施例的源极/漏极区的成形工艺。

图4A至图4B示出根据一些实施例的具有不同深度的隔离结构的实施例。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。