[发明专利]平面型的或非平面型的基于FET的静电放电保护器件

权利要求书

1.一种静电放电(ESD)保护器件，包括：

源极区，连接至第一电节点；

第一漏极区，连接至不同于所述第一电节点的第二电节点；

扩展漏极区，位于所述源极区和所述第一漏极区之间，所述扩展漏极区包括：

N个电浮动掺杂区；和

M个栅极区，连接至所述第二电节点，

其中，N和M是大于1的整数，并且

其中，所述N个电浮动掺杂区中的一个或多个电浮动掺杂区与所述M个栅极区中的一个或多个栅极区相间布置；

栅电极，位于所述源极区和所述扩展漏极区之间；以及

附加栅极区，与所述M个栅极区布置在所述第一漏极区的相对侧，所述附加栅极区将所述第一漏极区与用于形成放电路径的第二漏极区间隔开；

其中，所述M个栅极区中的相邻栅极区之间的间距与所述附加栅极区和所述M个栅极区的间距、所述栅电极和所述M个栅极区的间距为标称相等。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：具有第一导电类型的阱区；以及

其中，所述源极区、所述第一漏极区和所述N个电浮动掺杂区位于所述阱区内并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：

第一阱区，具有第一导电类型；

第二阱区，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及

其中，所述源极区、所述第一漏极区和所述N个电浮动掺杂区具有所述第二导电类型，

其中，所述源极区位于所述第一阱区，以及

其中，所述第一漏极区和所述N个电浮动掺杂区中的电浮动掺杂区位于所述第二阱区内。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：

第一阱区，具有第一导电类型；以及

第二阱区，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；

其中，所述N个电浮动掺杂区具有所述第二导电类型，并且

其中，所述N个电浮动掺杂区中的电浮动掺杂区部分地位于所述第一阱区内且部分地位于所述第二阱区内。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其中，所述源极区、所述第一漏极区和所述N个电浮动掺杂区是外延鳍区。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其中，所述栅电极连接至位于所述源极区和所述扩展漏极区之间的所述第一电节点。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其中，还包括：

第二源极区，连接至所述第一电节点；

第二漏极区，连接至所述第二电节点；以及

第二扩展漏极区，位于所述第二源极区和所述第二漏极区之间；

其中，所述附加栅极区设置在所述第一漏极区和所述第二漏极区之间以将所述第一漏极区和所述第二漏极区隔开。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，其中，所述M个栅极区的相邻栅极区之间的间距满足限制性设计规则(RDR)的要求。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：第二漏极区，连接至所述第二电节点。

10.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：寄生晶体管，连接至所述源极区和所述第一漏极区。

11.根据权利要求10所述的静电放电保护器件，还包括：

掺杂区，连接至所述第一电节点，所述掺杂区具有不同于所述源极区和所述第一漏极区的导电类型；以及

寄生电阻器，连接至所述寄生晶体管和所述掺杂区。

12.根据权利要求1所述的静电放电保护器件，还包括：

阱区，位于衬底上；以及

放电路径，包括：

第一路径，从所述第一漏极区至所述阱区；和

第二路径，从所述阱区至所述源极区。