[发明专利]异常探测方法以及半导体制造装置

说明书

本发明提供一种异常探测方法以及半导体制造装置。目的在于高精度地探测基板处理中的异常。提供一种异常探测方法，包括以下工序：计算针对工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方，来检测基板处理的异常。

技术领域

本发明涉及一种异常探测方法以及半导体制造装置。

背景技术

在半导体的制造中，在每个工艺制程(以下称为“制程”。)中一边对压力、气体流量等工艺条件的信号进行常时监视一边对晶圆进行处理。预先对工艺条件设定视作正常的幅度(上限值和下限值)，在所监视的信号超过了所设定的表示正常范围的上限值或下限值的情况下，探测为发生了异常。

例如，专利文献1公开了一种在制造半导体时的异常探测中利用的监视方法。专利文献1中公开了当所测定出的自偏置电压值偏离了设定偏置电压值范围时，使该自偏置电压值与不适当的蚀刻速度等相关联。

专利文献1：日本特表2008-515198号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1中，根据表示自偏置电压值的正常范围的特定值范围的设定方法不同，有时无法检测晶圆处理中的微小的异常。例如，在将正常范围设定得宽、或者在制程具有多个步骤的情况下设置在步骤切换的规定时间不进行异常判定的不灵敏时间时，有时无法检测晶圆处理中的微小的异常。

针对上述问题，在一个方面中，本发明的目的在于高精度地探测基板处理中的异常。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种异常探测方法，包括以下工序：计算工艺条件的3倍标准偏差值，并基于所计算出的所述3倍标准偏差值来计算异常探测的上限值和下限值中的至少一方，所述工艺条件是对被正常进行了处理的多个基板基于进行处理时的日志信息以规定的间隔收集到的；以及基于所计算出的所述异常探测的上限值和下限值中的至少一方来检测基板处理的异常。

发明的效果

根据一个方面，能够高精度地检测基板处理中的异常。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的半导体制造系统的纵剖面的图。

图2是示出异常探测的比较例的图。

图3是示出一个实施方式所涉及的以1毫秒的分辨率收集到的每个晶圆的压力数据的一例的图。

图4是示出标准偏差(σ)的图。

图5是用于说明一个实施方式所涉及的以1毫秒的分辨率收集到的每个晶圆的压力数据的异常探测的图。

图6是示出一个实施方式所涉及的异常探测的上限值和下限值(初始值)的计算处理的一例的流程图。

图7是示出一个实施方式所涉及的异常探测处理的一例的流程图。

图8是示出一个实施方式所涉及的异常探测的上限值和下限值的更新处理的一例的流程图。

图9是示出一个实施方式所涉及的清洁后的异常探测的上限值和下限值的重新计算处理的一例的流程图。

附图标记说明