[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板之上形成非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜之上的部分区域形成激光阻挡层，所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与用于形成具有预设电子迁移率第一薄膜晶体管的第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠；

在所述激光阻挡层的遮挡下，采用激光照射所述非晶硅薄膜；

将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层，其中，所述有源层的图案包括用于制作所述第一薄膜晶体管的所述第一有源区图案，以及用于制作第二薄膜晶体管的第二有源区图案，所述第一薄膜晶体管的电子迁移率小于所述第二薄膜晶体管的电子迁移率。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光阻挡层的材质为绝缘材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：

在所述激光阻挡层之上依次形成第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括用于制作所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，以及用于制作所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的过孔与所述第一有源区图案接触，所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的过孔与所述第二有源区图案接触。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光阻挡层的材质为导电材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之前，所述制作方法还包括：去除所述激光阻挡层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述激光阻挡层为导电材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：去除所述激光阻挡层。

5.如权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述激光阻挡层，具体包括：

在所述激光阻挡层之上形成与所述激光阻挡层相匹配的光刻胶层图案；

去除所述激光阻挡层；

去除剩余的所述光刻胶层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：

在所述有源层之上依次形成第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括用于制作所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，以及用于制作所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的过孔与所述第一有源区图案接触，所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的过孔与所述第二有源区图案接触。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。

8.一种采用如权利要求1-7任一项所述的制作方法制作的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：设置在衬底基板之上的图案化的有源层，其中，所述有源层的图案包括用于制作第一薄膜晶体管的第一有源区图案，以及用于制作第二薄膜晶体管的第二有源区图案，所述第一薄膜晶体管的电子迁移率小于所述第二薄膜晶体管的电子迁移率。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层之上还包括激光阻挡层，所述激光阻挡层的材质为绝缘材料，所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的阵列基板。