[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制备方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及其制备方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)，由于功耗很低，并且具有高画质、体积小、重量轻的特点，因此倍受大家青睐，成为当前显示器的主流。目前液晶显示器以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示器为主，其显示面板通常包括相对设置的彩膜基板、TFT阵列基板以及设置于两基板之间的液晶层。

现有主流成熟的TFT制备方法是低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术，即在基板上做一层非晶硅，然后通过准分子激光退火形成多晶硅，之后曝光、显影、刻蚀做出多晶硅的图案，最后依次做第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层等。这样做出来的TFT电子迁移率较高。但实际应用中，并不是一张阵列基板上所有的TFT都需要那么高的电子迁移率，对于一些特定的TFT，如开关薄膜晶体管，过高的电子迁移率可能会导致严重的漏电流，使得其在显示装置工作中无法快速、准确地关断。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、显示面板及其制备方法，以改善现有技术制作的阵列基板上的部分薄膜晶体管漏电流较高，在显示装置工作中无法快速、准确地关断的问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板之上形成非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜之上的部分区域形成激光阻挡层，所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与用于形成具有预设电子迁移率第一薄膜晶体管的第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠；

在所述激光阻挡层的遮挡下，采用激光照射所述非晶硅薄膜；

将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层，其中，所述有源层的图案包括用于制作所述第一薄膜晶体管的所述第一有源区图案，以及用于制作第二薄膜晶体管的第二有源区图案，所述第一薄膜晶体管的电子迁移率小于所述第二薄膜晶体管的电子迁移率。

优选的，所述激光阻挡层为绝缘材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：

在所述激光阻挡层之上依次形成第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括用于制作所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，以及用于制作所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的过孔与所述第一有源区图案接触，所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的过孔与所述第二有源区图案接触。

优选的，所述激光阻挡层的材质为导电材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之前，所述制作方法还包括：去除所述激光阻挡层。

优选的，所述激光阻挡层的材质为导电材料，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：去除所述激光阻挡层。

优选的，所述去除所述激光阻挡层，具体包括：

在所述激光阻挡层之上形成与所述激光阻挡层相匹配的光刻胶层图案；

去除所述激光阻挡层；

去除剩余的所述光刻胶层。

优选的，在将照射后的所述非晶硅薄膜转化为图案化的有源层之后，所述制作方法还包括：

在所述有源层之上依次形成第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层以及源漏极层，其中，所述源漏极层包括用于制作所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极，以及用于制作所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过相应的过孔与所述第一有源区图案接触，所述第二源极和所述第二漏极分别通过相应的过孔与所述第二有源区图案接触。

优选的，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。

本申请实施例还提供一种采用本申请实施例提供的所述的制作方法制作的阵列基板，所述阵列基板包括：设置在衬底基板之上的图案化的有源层，其中，所述有源层图案包括用于制作第一薄膜晶体管的第一有源区图案，以及用于制作第二薄膜晶体管的第二有源区图案，所述第一薄膜晶体管的电子迁移率小于所述第二薄膜晶体管的电子迁移率。

优选的，所述有源层之上还包括激光阻挡层，所述激光阻挡层的材质为绝缘材料，所述激光阻挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一有源区图案在所述衬底基板上的正投影重叠。

本申请实施例还提供一种显示面板，包括本申请实施例提供的所述阵列基板。