[发明专利]一种静电释放保护装置及电路

权利要求书

1.一种静电释放保护装置，其特征在于，包括：

逻辑门电路，用于实现指定逻辑运算；

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极悬空，所述第一晶体管的源极与所述逻辑门电路的第一电极连接，所述第一晶体管的漏极与所述逻辑门电路的第二电极连接，用于在所述第一电极和所述第二电极之间存在静电释放时保护所述逻辑门电路，所述第一电极和所述第二电极为所述逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极；

其中，所述第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极悬空，所述第二晶体管的源极与所述第一电极连接，所述第二晶体管的漏极与所述逻辑门电路的第三电极连接，用于在所述第一电极和所述第三电极之间存在静电释放时保护所述逻辑门电路，所述第三电极为所述逻辑门电路的源极、栅极和漏极中除所述第一电极和所述第二电极之外的电极；

其中，所述第二晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一电极为所述逻辑门电路的栅极，所述第二电极为所述逻辑门电路的源极；或者，所述第一电极为所述逻辑门电路的栅极，所述第二电极为所述逻辑门电路的漏极。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一晶体管的源极和漏极之间的非晶硅层通过激光晶化过程在所述第一晶体管的源极和漏极之间的半导体层上覆盖光罩形成。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二晶体管的源极和漏极之间的非晶硅层通过激光晶化过程在所述第二晶体管的源极和漏极之间的半导体层上覆盖光罩形成。

6.一种电路，其特征在于，包括至少一个如权利要求1～5任一项所述的静电释放保护装置。