[发明专利]一种静电释放保护装置及电路

说明书

本申请公开了一种静电释放保护装置及电路，用以在逻辑门电路中产生静电释放现象时避免逻辑门电路中的元器件损坏、保护逻辑门电路。该静电释放保护装置包括逻辑门电路和第一晶体管。逻辑门电路用于实现指定逻辑运算；第一晶体管的栅极悬空，第一晶体管的源极与逻辑门电路的第一电极连接，第一晶体管的漏极与逻辑门电路的第二电极连接，用于在第一电极和第二电极之间存在静电释放时保护逻辑门电路，第一电极和第二电极为逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极；其中，第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。

技术领域

本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种静电释放保护装置及电路。

背景技术

对于电子设备来说，维系其工作的电子系统通常由若干个电路组成的。而每个电路中又包含多个逻辑门电路，每个逻辑门电路各自实现其逻辑运算，从而使得该电路完成相关业务。

由于天气干燥、摩擦、接触、电磁感应等原因，逻辑门电路的电极之间会发生静电释放(electro static discharge，ESD)现象。当逻辑门电路的两个电极之间产生静电时，高压静电会导致两个电极间短路，此时，高压静电会在两个电极间释放。静电释放会导致逻辑门电路中的元器件损坏、逻辑门电路难以实现其逻辑运算，进而导致该逻辑门电路所在电路无法完成相关业务，影响电子设备的使用。例如，面内栅极(gate in panel，GIP)电路用于对选通信号进行移位，从而控制电子设备的屏幕显示。GIP电路中包含非门、与非门、选通门等逻辑门电路，通过逻辑门电路之间的相互配合，可以使得GIP电路实现选通信号的移位。一种可能的情况是，当GIP电路中的与非逻辑门电路(以下简称“与非门”)的栅极和漏极间发生ESD现象时，会导致与非门中的元器件损坏、与非门无法实现与非运算，进而导致GIP电路无法实现选通信号的移位，对电子设备的屏幕显示造成影响，影响用户的正常使用。

综上，亟需一种静电释放保护方案，从而在逻辑门电路中产生静电释放现象时避免逻辑门电路中的元器件损坏、保护逻辑门电路。

发明内容

本申请提供一种静电释放保护装置及电路，用以在逻辑门电路中产生静电释放现象时避免逻辑门电路中的元器件损坏、保护逻辑门电路。

第一方面，本申请实施例提供一种静电释放保护装置，该装置包括：逻辑门电路和第一晶体管。其中，逻辑门电路用于实现指定逻辑运算；第一晶体管的栅极悬空，第一晶体管的源极与逻辑门电路的第一电极连接，第一晶体管的漏极与逻辑门电路的第二电极连接，用于在第一电极和第二电极之间存在静电释放时保护逻辑门电路，第一电极和第二电极为逻辑门电路的源极、栅极和漏极中任意两个不同的电极；其中，第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接。

其中，逻辑门电路包括但不限于与门电路、或门电路、非门电路、与非门电路、选通门电路等。

在第一方面提供的静电释放保护装置中，由于第一晶体管的源极和漏极分别与逻辑门电路的第一电极和第二电极连接，且第一晶体管的源极和漏极之间通过非晶硅层连接，因而由于非晶硅层在低压下高阻、在高压下导通的特点，当逻辑门电路的第一电极和第二电极之间发生静电释放现象时，高压静电会使得第一晶体管导通，从而使得第一电极和第二电极处于同一电位，因此在第一电极和第二电极之间不会存在激烈的静电释放，起到了对逻辑门电路的静电释放保护作用。

以GIP电路为例，当GIP电路中的每个逻辑门电路均在第一电极和第二电极之间设置上述第一晶体管时，每个逻辑门电路均可以得到静电释放保护。此外，与现有技术中在GIP电路外围设置四个ESD保护回路的方式相比，采用本申请实施例提供的静电释放保护装置可以使得GIP电路中的每个逻辑门电路均得到保护，静电释放保护的效果更佳。同时，在每个逻辑门电路中设置第一晶体管对逻辑门电路进行静电释放保护的方式仅占用电路板上较小的空间、易于实现。