[发明专利]一种硅片承载器及其制造方法有效
申请号: | 201710735004.8 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107689340B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 王晨;陈董良 | 申请(专利权)人: | 江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/687 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 承载 及其 制造 方法 | ||
1.一种应用于硅片承载器的制造方法,其特征在于:包括承载器本体(1),所述承载器本体(1)包括若干对称设置的插片槽(2),所述插片槽(2)上下贯通,所述插片槽(2)底部设有可拆卸的长条形的缓冲垫(3),所述承载器本体(1)位于同一侧插片槽(2)的两侧面对称设有长条形的穿设孔(4),所述穿设孔(4)设在插片槽(2)的最低高度,所述承载器本体(1)上靠近其中一个穿设孔(4)设有收放轮(5),所述缓冲垫(3)的一端收卷在收放轮(5)上,另一端依次穿过所述穿设孔(4)并固定;两个所述穿设孔(4)处均设有紧固件(6),所述紧固件(6)包括一对压片,两块所述压片的一端固定,另一端通过按扣可拆卸固定;所述收放轮(5)内部设有自动回卷构件;所述缓冲垫(3)采用聚氨酯胶条,所述缓冲垫(3)的截面形状为三角形且其顶角部位与硅片接触;
包括以下步骤:
S1、选用聚偏二氟乙烯为原料,在80~100℃下干燥1~1.5h;
S2、将干燥的原料加入料筒内进行塑化,均匀加热至205~265℃下熔融;
S3、在15~50MPa的注射压力下,3~10s的充模时间内,按15~30mm/s的注射速度,将已塑化的原料熔体注入模具型腔,直至模具型腔被原料熔体充满为止;
S4、在30~60MPa的保压压力下,10~20s的保压时间内,对模具型腔内的原料熔体进行压实、补缩;
S5、冷却70~120s,脱模得到硅片承载器制品;
S6、在硅片承载器上安装缓冲垫(3)。
2.根据权利要求1所述的一种硅片承载器的制造方法,其特征在于:所述步骤S3,在原料熔体注入模具型腔前,先将模具加热至60~90℃保温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造