[发明专利]微铜柱的制造方法有效
申请号: | 201710735809.2 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107546139B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 王福亮;王峰;赵志鹏;聂南天;任鑫宇;曾鹏;朱文辉 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 邓淑红 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微铜柱 制造 方法 | ||
1.一种微铜柱的制造方法,其特征在于,它包括以下步骤:
步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构,在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘;
步骤二、制作微阳极,微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配;
步骤三、制作微阳极夹具盘,将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域,并将各微阳极连通;
步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方,使微阳极与焊盘一一对应,将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极,芯片连接至电镀电源的负极;
步骤五、采用局部电化学沉积方法,在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱,局部电化学沉积方法的具体步骤为:
(1)将带有焊盘的芯片和装有微阳极的微阳极夹具置于电解液中,焊盘接阴极,微阳极接阳极,施加测试电势,微阳极下行;
(2)微阳极下行至与焊盘接触后关闭电源,控制微阳极上行至与焊盘之间距离为设定间距后施加电镀电势,微阳极与焊盘之间的局部空间内形成局部电场,在局部电场作用下微铜柱开始沉积生长;
(3)当微铜柱持续生长至碰触到微阳极底面时,电流突然增大,切断电流,控制微阳极再次上升一个设定间距的行程;
(4)循环重复(3),直至微铜柱的高度达到制造要求。
2.根据权利要求1所述的微铜柱的制造方法,其特征在于:所述电镀电势的范围为2.0V—2.5V。
3.根据权利要求2所述的微铜柱的制造方法,其特征在于:所述设定间距小于等于5um时沉积出的微铜柱为圆柱型,设定间距的大于5um、小于等于25um时沉积出的微铜柱为圆台型。
4.根据权利要求1所述的微铜柱的制造方法,其特征在于:所述微阳极包括铂丝电极和包裹于铂丝电极外的绝缘层,铂丝电极的直径匹配于微铜柱的直径。
5.根据权利要求1所述的微铜柱的制造方法,其特征在于:所述微阳极夹具盘上对应所述焊盘的位置处开设有安装孔,所述微阳极的一端埋入安装孔内。
6.根据权利要求1所述的微铜柱的制造方法,其特征在于:所述绝缘衬底为硅衬底,所述导电通道为TSV。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710735809.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅橡胶密封型材
- 下一篇:一种触变泡沫硅橡胶及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造