[发明专利]像素内部补偿电路及驱动方法

说明书

本发明涉及一种像素内部补偿电路及驱动方法。该像素内部补偿电路包括：第一薄膜晶体管(T1)栅极连接第三控制信号(SCAN3)，源极和漏极连接数据电压(Vdata)和第一节点(A)；第二薄膜晶体管(T2)栅极连接第一节点(A)，源极和漏极连接第二节点(B)和电源高电位(OVDD)；第三薄膜晶体管(T3)栅极连接第一控制信号(SCAN1)，源极和漏极连接第一节点(A)和参考电位(Vref)；第四薄膜晶体管(T4)栅极连接第二控制信号(SCAN2)，源极和漏极连接第二节点(B)和初始电位(Vini)；电容(C1)连接第一节点(A)和第二节点(B)；OLED连接第二节点(B)和电源低电位(OVSS)。本发明还提供了相应的驱动方法。本发明能够通过并行驱动方式有效增加阈值电压补偿的侦测时间，提升补偿效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素内部补偿电路及驱动方法。

背景技术

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，亮度由流过OLED自身的电流决定，大部分已有芯片(IC)都只传输电压信号，故AMOLED像素驱动电路要完成将电压信号转变为电流信号的任务。

有源矩阵发光二极管(简称AMOLED)是通过驱动TFT控制流过发光二极管的电流实现显示效果，驱动TFT在使用过程中由于受到光照、源漏极电压应力等因素影响，导致其阈值电压的产生偏移，进而影响流过发光二极管的电流，导致面板的显示不均。

参见图1，其为现有像素4T1C内部补偿电路结构示意图，图2为其驱动时序示意图，4T1C指电路主要包括四个薄膜晶体管T1～T4和一个电容C1。图1所示电路中，T2为驱动TFT，其阈值电压可以表示为Vth_T2，OVDD为电源高电位，OVSS为电源低电位，SCAN1和SCAN2为控制相应TFT开关的控制信号，Vdata为数据电压，Vini为初始点位，Vref为参考电位。面板厂商常常通过内部补偿的方式对TFT阈值电压偏移进行补偿恢复，参照图2所示时序图，整个内部补偿过程可以包括重置(Reset)、侦测(Sensing)、数据写入(Data writing)、发光(Emission)四个阶段。重置阶段T3，T4开启，将A点和B点电压放电到Vini；侦测阶段T1开启，A点电压维持在参考电位Vref，受到OVDD充电影响，B点电压逐渐充电到Vref－Vth_T2，但小于OLED的开启电压，此时OLED本身的等效电容C2保持B点电压；数据写入阶段T1继续开启，数据电压Vdata写入A点；发光阶段T2开启，OLED开始发光。

随着面板解析度不断提升，单行的扫描时间T_SCAN变得越来越短，由于数据线(Dataline)的电位需要在参考电位Vref和数据电压Vdata之间切换，因此上下两行相邻像素的内部补偿过程无法重叠进行，因此T_SENSE<T_SCAN，其中T_SENSE为侦测时间。阈值电压Vth的侦测过程需要满足足够长时间，否则B点无法充电完全，直接导致最终补偿失败。因此该内部补偿方式并不适用高解析度面板。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种改进的像素内部补偿电路，适合于提升阈值电压补偿的侦测时间。

本发明的另一目的在于提供一种改进的像素内部补偿电路的驱动方法，适合于提升阈值电压补偿的侦测时间。

为实现上述目的，本发明提供了一种像素内部补偿电路，包括：

第一薄膜晶体管，其栅极连接第三控制信号，源极和漏极分别连接数据电压和第一节点；

第二薄膜晶体管，其栅极连接第一节点，源极和漏极分别连接第二节点和电源高电位；