[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层；

对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在所述栅极上的第一栅极绝缘层、设置于所述像素电极上且暴露所述像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于所述第一栅极绝缘层上的有源层；

在所述缓冲层、所述像素电极、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层上形成第二金属层；

对所述第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成位于所述有源层上的源极以及位于所述有源层和暴露的所述像素电极的部分上的漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，实现步骤“对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理”的方法包括步骤：

在所述有源半导体材料层上涂布形成光阻材料层；

对所述光阻材料层进行曝光和显影，以去除与将要形成的栅极和像素电极之间的间隔相对的光阻材料层，且去除与将要形成的第二栅极绝缘层相对的光阻材料层的部分，且去除与将要形成的所述像素电极的被暴露的部分相对的光阻材料层的部分；

利用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方式对显影后的光阻材料层、所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行蚀刻，以形成所述栅极、所述像素电极、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，实现步骤“利用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方式对显影后的光阻材料层、所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行蚀刻”的方法包括：

利用干法刻蚀的方式刻蚀去除与将要形成的栅极和像素电极之间的间隔相对的有源半导体材料层和栅极绝缘材料层；

利用干法刻蚀的方式刻蚀去除所述光阻材料层、与将要形成的第二栅极绝缘层相对的栅极绝缘材料层的部分以及与将要形成的所述像素电极的被暴露的部分相对的栅极绝缘材料层的部分；

利用湿法刻蚀的方式刻蚀去除将要形成栅极的第一金属层的两端部分以及将要形成像素电极的第一金属层的邻近将要形成的栅极的部分；

利用干法刻蚀的方式刻蚀去除将要形成的所述像素电极的被暴露的部分相对的栅极绝缘材料层。

4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，实现步骤“对所述光阻材料层进行曝光和显影”的方法包括步骤：

利用第一预定光罩对所述光阻材料层进行曝光，其中所述第一预定光罩包括遮光部、半透光部和全透光部，所述遮光部与将要形成的有源层相对，所述全透光部与将要形成的栅极和像素电极之间的间隔相对，所述半透光部与将要形成的所述像素电极相对；

对曝光后的所述光阻材料层进行显影。

5.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，实现步骤“对所述第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理”的方法包括步骤：

在所述第二金属层上涂布形成光阻材料层；

对所述光阻材料层进行曝光和显影，以将除与将要形成的源极和漏极相对的光阻材料层之外的光阻材料层去除；

利用干法刻蚀的方式将暴露出的第二金属层刻蚀去除。

6.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，实现步骤“对所述光阻材料层进行曝光和显影”的方法包括：

利用第二预定光罩对所述光阻材料层进行曝光，其中所述第二预定光罩包括遮光部和全透光部，所述遮光部与将要形成源极和漏极的第二金属层相对，所述全透光部与除将要形成源极和漏极的第二金属层之外的第二金属层相对；

对曝光后的所述光阻材料层进行显影。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层的制作材料选自钼钛合金、钼、钛、铝中的至少一种。

8.一种由权利要求1至7任一项所述的制作方法制作的阵列基板。