[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，其包括步骤：在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层；对有源半导体材料层、栅极绝缘材料层、第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在栅极上的第一栅极绝缘层、设置于像素电极上且暴露像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于第一栅极绝缘层上的有源层；在缓冲层、像素电极、第二栅极绝缘层以及有源层上形成第二金属层；对第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成位于有源层上的源极以及位于有源层和暴露的像素电极的部分上的漏极。本发明利用2次光刻(2MASK)完成了阵列基板的制作，降低了光刻次数，从而节省成本。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种用于液晶显示设备的阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着信息社会的发展，人们对平板显示设备的需求得到了快速的增长。液晶显示设备(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示设备市场占据了主导地位。然而，随着各生产厂商之间剧烈的竞争，提升显示品质、降低不良率、降低生产成本成为液晶显示设备生产厂商在剧烈竞争中得以生存的重要保证。

现有技术的LCD中的阵列基板的制造方法的主流是4次光刻技术(4Mask)和5次光刻技术(5Mask)。其中，5Mask工艺主要包括栅电极光刻(Gate Mask)，有源层光刻(ActiveMask)，源漏电极光刻(S/D Mask)，过孔光刻(Via Hole Mask)和像素电极光刻(PixelMask)。在每一个Mask工艺步骤中又分别包括薄膜沉积(Thin Film Deposition)工艺、刻蚀(包括干法刻蚀Dry Etch和湿法刻蚀Wet Etch)工艺和剥离工艺，形成了5次薄膜沉积→光刻→刻蚀→剥离的循环过程。

4Mask工艺是在5Mask工艺的基础上，利用灰色调光刻(Gray Tone Mask)或半色调光刻(Half Tone Mask)或SSM(Single Slit Mask)工艺，将有源层光刻(Active Mask)与源漏电极光刻(S/D Mask)合并成一次光刻(Mask)，通过调整刻蚀(Etch)工艺，从而完成原来Active Mask和S/D Mask的功能，即通过一次Mask工艺达到两次Mask工艺的效果。

然而，无论是4Mask工艺还是5Mask工艺，由于具有较多次光刻过程，因此成本居高不下，不利于降低生产成本。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种能够减少光刻次数的阵列基板及其制作方法。

根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括步骤：在基板上顺序层叠制作形成缓冲层、第一金属层、栅极绝缘材料层以及有源半导体材料层；对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成彼此间隔的栅极和像素电极、覆盖在所述栅极上的第一栅极绝缘层、设置于所述像素电极上且暴露所述像素电极的部分的第二栅极绝缘层以及设置于所述第一栅极绝缘层上的有源层；在所述缓冲层、所述像素电极、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理，以形成位于所述有源层上的源极以及位于所述有源层和暴露的所述像素电极的部分上的漏极。

进一步地，实现步骤“对所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行曝光、显影以及刻蚀处理”的方法包括步骤：在所述有源半导体材料层上涂布形成光阻材料层；对所述光阻材料层进行曝光和显影，以去除与将要形成的栅极和像素电极之间的间隔相对的光阻材料层，且去除与将要形成的第二栅极绝缘层相对的光阻材料层的部分，且去除与将要形成的所述像素电极的被暴露的部分相对的光阻材料层的部分；利用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方式对显影后的光阻材料层、所述有源半导体材料层、所述栅极绝缘材料层、所述第一金属层进行蚀刻，以形成所述栅极、所述像素电极、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述有源层。