[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1开关元件，栅极被输入第1基准电压；

第2开关元件，栅极被输入与所述第1基准电压相比较的第1电压；

第3开关元件，达林顿连接有所述第1开关元件；

第4开关元件，达林顿连接有所述第2开关元件；

第1电流反射镜电路，调整在所述第3开关元件及所述第4开关元件中流通的电流；

第5开关元件，基于所述第1基准电压与所述第1电压之差，切换为导通状态和截止状态；

恒流电路，生成恒流；

第2电流反射镜电路，对所述第1开关元件及所述第2开关元件供给所述恒流；以及

电压设定用电阻元件，设置在所述第1开关元件的源极与所述第3开关元件的栅极之间、或者所述第2开关元件的源极与所述第4开关元件的栅极之间中的任一方。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备增压电路，该增压电路基于所述第5开关元件的所述导通状态及所述截止状态，使所述第1电压变化。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

所述增压电路与切换是否对负载供给电流的N沟道型的MOS晶体管的栅极连接。

4.如权利要求2所述的半导体装置，还具备：

齐纳二极管，与所述增压电路的输出端子连接；

第1电阻元件及第2电阻元件，与所述齐纳二极管串联连接；以及

第3电阻元件及第4电阻元件，与电源端子串联连接，具有和所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的电阻比相同的电阻比，

所述第1电压，是将从所述增压电路的输出电压减去所述齐纳二极管的击穿电压后的电压，用所述第1电阻元件和所述第2电阻元件来分压后的电压，

所述第1基准电压，是将电源电压用所述第3电阻元件和所述第4电阻元件来分压后的电压。

5.如权利要求2所述的半导体装置，还具备：

第1电阻元件及第2电阻元件，与所述增压电路的输出端子串联连接；以及

第3电阻元件及第4电阻元件，与电源端子串联连接，具有和所述第1电阻元件与所述第2电阻元件的电阻比相同的电阻比，

所述第1电压，是将所述增压电路的输出电压用所述第1电阻元件和所述第2电阻元件来分压后的电压，

所述第1基准电压，是将电源电压用所述第3电阻元件和所述第4电阻元件来分压后的值。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

所述恒流电路具有：

第6开关元件，与所述第2电流反射镜电路连接；

电流设定用电阻元件，与所述第6开关元件串联连接，与所述电压设定用电阻元件为相同的材料；及

比较器，基于所述电流设定用电阻元件的两端电压与用于设定所述恒流的第2基准电压之差，控制所述第6开关元件。

7.如权利要求6所述的半导体装置，

对所述比较器的输入端子分别输入所述两端电压和所述第2基准电压，在所述比较器的输出端子连接有所述第6开关元件的栅极。

8.如权利要求2所述的半导体装置，

所述增压电路，

在所述第5开关元件成为所述导通状态时，使所述第1电压降低，并且，

在所述第5开关元件成为所述截止状态时，使所述第1电压上升。

9.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第1开关导通所用的阈值电压与所述第2开关元件导通所用的阈值电压，互相相等。