[发明专利]半导体装置

说明书

根据实施方式，半导体装置具备：第1开关元件，栅极被输入第1基准电压；第2开关元件，栅极被输入第1电压；第3开关元件，达林顿连接有第1开关元件；第4开关元件，达林顿连接有第2开关元件；第1电流反射镜电路，调整在第3及第4开关元件中流通的电流；第5开关元件，基于第1基准电压与第1电压之差，切换为导通状态和截止状态；恒流电路；第2电流反射镜电路，供给恒流；及电压设定用电阻元件，设置在第1开关元件的源极与第3开关元件的栅极之间或者第2开关元件的源极与第4开关元件的栅极之间的任一方。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2017－58069号(申请日：2017年3 月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

N沟道型的MOS(Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管例如被用作切换是否对负载供给电流的开关元件。在这样的用途中，存在增压电路与上述MOS晶体管的栅极连接的情况。此时，增压电路的输出电压超过栅极耐压时，MOS晶体管有可能损伤。因此，希望增压电路的输出电压被控制为一定以不超过栅极耐压。

但是，为了控制增压电路的输出电压，而使用如例如二极管那样的电气特性易于依赖于温度的元件时，输出电压的偏差范围可能达到标准外。

发明内容

本发明的实施方式，提供能够进行不易受到温度的影响的电压控制的半导体装置。

实施方式的半导体装置，具备：第1开关元件，栅极被输入第1 基准电压；第2开关元件，栅极被输入与所述第1基准电压相比较的第1电压；第3开关元件，达林顿连接有所述第1开关元件；第4开关元件，达林顿连接有所述第2开关元件；第1电流反射镜电路，调整在所述第3开关元件及所述第4开关元件中流通的电流；第5开关元件，基于所述第1基准电压与所述第1电压之差，切换为导通状态和截止状态；恒流电路，生成恒流；第2电流反射镜电路，对所述第 1开关元件及所述第2开关元件供给所述恒流；以及电压设定用电阻元件，设置在所述第1开关元件的源极与所述第3开关元件的栅极之间或者所述第2开关元件的源极与所述第4开关元件的栅极之间的任一方。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的电路图。

图2是第1实施方式的比较器的电路图。

图3是恒流电路的电路图。

图4是第2实施方式的比较器的电路图。

图5是第3实施方式的比较器的电路图。

具体实施方式

(第1实施方式)

图1是第1实施方式的半导体装置的电路图。图1所示的半导体装置1具有增压电路10及比较器20。增压电路10及比较器20与N 沟道型的MOS晶体管100的栅极连接。

N沟道型MOS晶体管100的漏极，与电源端子300连接。源极与负载200及输出端子302连接。MOS晶体管100导通时，电流被供给至负载200。另一方面，MOS晶体管100截止时，向负载200 的电流供给停止。

增压电路10是所谓的狄克逊型的供给泵电路，具有二极管D1～二极管D5、电容器C1～电容器C5、变换器INV1～变换器INV4及与(AND)电路11。二极管D1～二极管D5在电源端子300与MOS 晶体管100的栅极之间串联连接。

电容器C1～电容器C5的一端，分别连接在二极管D1～二极管 D5之间。电容器C1、电容器C3及电容器C5的另一端，共同连接于变换器INV2的输出端子。电容器C2及电容器C4的另一端，共同连接于变换器INV4的输出端子。