[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

氮化物半导体层，形成于所述基板的上方，并且具备元件区域和高电阻区域；

分别形成于所述氮化物半导体层的所述元件区域的上方的第1源极电极、第1漏极电极及第1栅极电极，所述第1源极电极和所述第1漏极电极在第1方向上延伸；以及

第1栅极布线层，形成于所述氮化物半导体层的上方，并且连接于所述第1栅极电极；

所述高电阻区域的电阻高于所述元件区域的电阻，

所述第1栅极布线层在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，

所述第1栅极电极包括在所述第2方向上彼此平行地配置的第1延伸部分和第2延伸部分，

所述第1栅极布线层包括：(i)在所述第2方向上延伸的第1部分，所述第1栅极电极的所述第1延伸部分和所述第2延伸部分从该第1部分伸出；以及(ii)在所述第2方向上延伸的第2部分，所述第2部分与所述第1栅极电极不直接接触，并且与所述第1部分相邻，

俯视时，所述第1源极电极和所述第1漏极电极中的至少一个沿着所述第2方向位于所述第1栅极电极的所述第1延伸部分和所述第2延伸部分之间，

俯视时，与所述第1延伸部分或所述第2延伸部分从所述第1部分伸出的点相比，所述高电阻区域和所述元件区域之间的界面更靠近所述第2部分，

俯视时，所述第1部分与所述元件区域重叠，并且不与所述高电阻区域重叠，

俯视时，所述第2部分与所述高电阻区域重叠，并且不与所述元件区域重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，所述第1源极电极和所述第1漏极电极中的所述至少一个被所述第1栅极电极的所述第1延伸部分及所述第2延伸部分与所述第1栅极布线层的侧面的一部分包围。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备分别形成于所述氮化物半导体层的所述元件区域的上方的第2源极电极、第2漏极电极及第2栅极电极，所述第2源极电极和所述第2漏极电极在所述第1方向上延伸，

所述第2栅极电极包括在所述第2方向上彼此平行地配置的第3延伸部分和第4延伸部分，

所述第3延伸部分和所述第4延伸部分从所述第1栅极布线层的所述第1部分伸出，

俯视时，所述第2源极电极和所述第2漏极电极中的至少一个位于所述第2栅极电极的所述第3延伸部分和所述第4延伸部分之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，所述第1源极电极、所述第1漏极电极、所述第2源极电极、所述第2漏极电极依次沿所述第2方向配置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备第2栅极布线层，

俯视时，所述第1源极电极、所述第1漏极电极、所述第1栅极电极位于所述第1栅极布线层和所述第2栅极布线层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备分别形成于所述氮化物半导体层的所述元件区域的上方的第2源极电极、第2漏极电极及第2栅极电极，所述第2源极电极和所述第2漏极电极在所述第1方向上延伸，

所述第2栅极电极包括在所述第2方向上彼此平行地配置的第3延伸部分和第4延伸部分，

所述第1栅极布线层还包括在所述第2方向上延伸的第3部分，所述第2栅极电极的所述第3延伸部分和所述第4延伸部分从该第3部分伸出，所述第3部分配置成使得所述第2部分沿所述第1方向位于所述第1部分和所述第3部分之间，

俯视时，所述第2源极电极和所述第2漏极电极中的至少一个位于所述第2栅极电极的所述第3延伸部分和所述第4延伸部分之间。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，所述高电阻区域包围所述第1源极电极、所述第1漏极电极以及所述第1栅极电极。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1源极电极、所述第1漏极电极以及所述第1栅极电极中的至少一个在端部具有圆角。