[发明专利]半导体装置

说明书

减少半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。例如在由硅构成的基板上依次外延生长有例如由厚度为100nm的AlN构成的缓冲层、厚度为2μm的非掺杂GaN层、以及厚度为20nm且Al组分比为20％的非掺杂AlGaN，源极电极以及漏极电极以与非掺杂AlGaN层欧姆接触的方式形成。而且，在栅极布线的正下方的非掺杂GaN层与非掺杂AlGaN层中，例如形成有通过Ar等的离子注入而高电阻化了的高电阻区域，高电阻区域与元件区域的边界位于栅极布线正下方。

本申请是申请日为2013年7月2日、申请号为201380047535.8、名称为“半导体装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，该半导体装置例如能够适用于在民用设备的电源电路等中使用的功率开关元件，并由氮化物半导体构成。

背景技术

以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体是例如氮化镓(GaN)以及氮化铝(AlN)的禁带宽度在室温下分别是较大的3.4eV以及6.2eV的宽带隙半导体，具有绝缘击穿电场较大、并且电子饱和速度比砷化镓(GaAs)等的化合物半导体、硅(Si)等的电子饱和速度大的特征。因此，作为高频用电子器件或者高功率电子器件，使用GaN类的化合物半导体材料的场效应晶体管(Field Effect Transistor：FET)研究开发正在盛行。

GaN等的氮化物半导体材料由于可得到与AlN或者氮化铟(InN)的各种混晶，因此能够与现有的GaAs等的砷类半导体材料相同地形成异质结。在基于氮化物半导体的异质结、例如AlGaN/GaN异质构造中，具有在其界面上因自发极化以及压电极化产生的高浓度且高迁移率的载流子即使在不掺杂杂质的状态下也会发生这一特征。因此，若使用氮化物半导体制作晶体管，则能够进行高速动作。

此外，这里，AlGaN表示Al_xGa_1－xN(其中，x满足0＜x＜1。)，InGaN表示In_yGa_1－yN(其中，y满足0＜y＜1。)，AlInN表示Al_zIn_1－zN(其中，z满足0＜z＜1。)，InAlGaN表示In_yAl_xGa_1－x－yN(其中，x、y满足0＜x＜1、0＜y＜1、0＜x+y＜1。)。该记载在以下也是相同的。

以往，作为由将栅极电极形成为指状的氮化物半导体构成的半导体装置、即氮化物半导体装置，已知有以下的专利文献1所述的半导体装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－023074号公报

发明内容

上述专利文献1所述的氮化物半导体装置由于在电极布线正下方具有带导电性的氮化物半导体层，因此具有因电极布线产生寄生电容并且在源极电极、漏极电极与栅极电极之间产生泄漏电流这一问题。

本发明要解决的问题是减少氮化物半导体装置的寄生电容以及泄漏电流。