[发明专利]晶体振子有效
申请号: | 201710740281.8 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN107769751B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 加贺重隆;手岛芳朗;广田和博 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本东京涉谷区笹塚1-4*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 | ||
1.一种晶体振子,在晶体片的表面与背面具备激振用电极,且以厚度切边模式振动,所述晶体振子的特征在于,
以所述表面的所述激振用电极的边缘的位移分布、与所述背面的所述激振用电极的边缘的位移分布相同的位置关系,来将所述激振用电极设置于所述晶体片;
所述晶体片是将晶体的Y'轴方向设为厚度,将所述晶体的X'-Z'面设为主面的晶体片,
设在所述晶体片的所述表面与所述背面的所述激振用电极的平面形状相同且大小相同,且
当将设在正Y'面的所述激振用电极定义为第1激振用电极、设在负Y'面的所述激振用电极定位为第2激振用电极时,所述第2激振用电极相对于所述第1激振用电极而设在满足以下关系的位置,
(1)使所述第1激振用电极沿着所述晶体的X'轴朝正X'方向移动以T·tanα给出的距离dx,
(2)使所述第1激振用电极沿着所述晶体的Z'轴朝负Z'方向移动以T·tanβ给出的距离dy,
(3)将依照所述(1)、(2)而移动后的状态投影到负Y'面上的位置,
此处,T是指所述晶体片的厚度,而且,α、β是指根据所述晶体片的切割种类而预先决定的角度,α是正Z'面上的旋转角度,β是正X'面上的旋转角度,而且,X'轴、Z'轴是指通过相对于所述晶体的晶轴X、Y而以所述晶体片的切断角度来旋转所产生的轴。
2.根据权利要求1所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是M-SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=0±5°。
3.根据权利要求1所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=1±5°。
4.根据权利要求1所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是IT切割晶体片,所述α为α=24±5°,所述β为β=2±5°。
5.根据权利要求1所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是AT切割晶体片,所述α为α=0±5°,所述β为β=4±5°。
6.根据权利要求1至4中任何一项所述的晶体振子,其特征在于,
所述表面与所述背面的所述激振用电极是平面形状为椭圆形状且规定椭圆比率的电极,且相对于所述晶体片以面内旋转角度δ而配置。
7.根据权利要求6所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是M-SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=0±5°,所述椭圆比率为1.32±10%,所述面内旋转角度δ为δ=-9±5°。
8.根据权利要求6所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是M-SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=0±5°,所述椭圆比率为0.91±10%,所述面内旋转角度δ为δ=-15±5°。
9.根据权利要求6所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是M-SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=0±5°,所述椭圆比率为0.93±10%,所述面内旋转角度δ为δ=-10±5°。
10.根据权利要求6所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=1±5°,所述椭圆比率为1.32±10%,所述面内旋转角度δ为δ=-7±5°。
11.根据权利要求6所述的晶体振子,其特征在于,
所述晶体片是SC切割晶体片,所述α为α=25±5°,所述β为β=1±5°,所述椭圆比率为0.93±10%,所述面内旋转角度δ为δ=-17±5°。
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