[发明专利]晶体振子

说明书

本发明提供一种晶体振子，在晶体片的表面与背面具备激振用电极，且以厚度切边模式振动，在所述晶体振子中，以所述表面的所述激振用电极的边缘的位移分布、与所述背面的所述激振用电极的边缘的位移分布相同的位置关系，来将所述激振用电极设置于所述晶体片。本发明能够实现以厚度切边模式振动的晶体振子的特性改善。

技术领域

本发明涉及一种以厚度切边模式(thickness-shear mode)振动的晶体振子。

背景技术

作为以厚度切边模式振动的晶体振子，已知有以AT切割晶体振子及SC切割晶体振子为 代表的所谓二次旋转晶体振子。这些晶体振子是高度信息通信社会必需的电子零件，因此， 正从各个方面努力进行特性改善。

作为特性改善的一个方法，有着眼于设在晶体片两面的激振用电极的方法。例如，在专 利文献1中记载了下述结构：为了控制频率温度特性，使设在AT切割晶体片的两主面的激振 用电极，在晶体的X轴方向上相对地错开规定量。而且，在专利文献2中记载了下述结构： 在利用导电性接着剂来支撑AT切割晶体片的一端的表面贴装器件(Surface-MountDevices， SMD)结构的晶体振子中，为了减轻导电性接着剂的影响，使设在晶体片的表面与背面的激 振用电极中的下表面侧的激振用电极，较上表面侧的激振电极朝远离导电性接着剂的位置错 开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO98/47226号公报

专利文献2：日本专利特开2014-42084号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

但是，着眼于激振用电极的晶体振子的特性改善方法尚隐藏着可能性。

本申请是有鉴于此点而完成，因而，本申请的目的在于，提供一种具有新颖的激振用电 极结构的晶体振子，该新颖的激振用电极结构能够实现以厚度切边模式振动的晶体振子的特 性改善。

[解决问题的技术手段]

为了达成该目的，本发明提出一种晶体振子，在晶体片的表面与背面具备激振用电极， 且以厚度切边模式振动，所述晶体振子的特征在于，

以下述位置关系来将所述激振用电极设置于晶体片的表面与背面，即，所述主面的激振 用电极的边缘(edge)的位移分布与所述背面的激振用电极的边缘的位移分布相同。

当实施本发明时，晶体片采用将晶体的Y′轴方向设为厚度，将晶体的X′-Z′面设为主面的 晶体片。并且，设在该晶体片的表面与背面(即主面)的激振用电极的平面形状相同且大小相同， 并且，当将设在正(plus)Y′面的激振用电极定义为第1激振用电极、设在负(minus)Y′面的 激振用电极定位为第2激振用电极时，第2激振用电极相对于第1激振用电极可设在满足以 下关系的位置。

(1)使第1激振用电极沿着晶体的X'轴朝正X'方向移动以T·tanα给出的距离dx(参照 图1A～图1B)，

(2)使第1激振用电极沿着晶体的Z'轴朝负Z'方向移动以T·tanβ给出的距离dy(参照 图1A～图1B)，

(3)将依照所述(1)、(2)而移动后的状态投影到负Y′面上的位置。