[发明专利]SiC晶片的生成方法

权利要求书

1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有第一面、该第一面相反侧的第二面、从该第一面到该第二面且相对于该第一面的垂线倾斜的c轴、以及与该c轴正交的c面，在该c面与该第一面之间形成偏离角，该SiC晶片的生成方法包括下述工序：

剥离面形成工序，使该单晶SiC晶锭与对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点相对地在形成该偏离角的第二方向进行转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，从而形成剥离面，该改质层形成加工中，将该聚光点定位在距离该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该单晶SiC晶锭与该聚光点相对地在与形成该偏离角的第二方向正交的第一方向进行加工进给的同时，对该单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，从而SiC分离成Si和C，接着照射的脉冲激光光线被先前形成的C吸收，SiC连锁地分离成Si和C而形成的直线状的改质层，并且形成从该改质层沿着该c面传播的裂痕，该改质层形成加工中，在该聚光点形成最初形成的改质层，接着最初的改质层形成的改质层形成在与该聚光点相比逐渐变浅的位置，从单晶SiC晶锭的开始照射脉冲激光光线侧的端部产生改质层的升高，在该单晶SiC晶锭的内部中，在改质层到达脉冲激光光线的功率密度达到特定值的深度后，在功率密度达到该特定值的深度形成改质层；

晶片生成工序，以该剥离面作为界面将该单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片；

倒角加工工序，对剥离得到的SiC晶片的外周实施倒角加工而去除晶片的外周因改质层的升高所形成的突状毛刺；以及

磨削工序，在实施该倒角加工工序后，对SiC晶片的剥离面进行磨削，精加工成平滑面。