[发明专利]SiC晶片的生成方法

说明书

提供实现生产率提高的SiC晶片生成方法。SiC晶片的生成方法从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，包括：剥离面形成工序，在形成偏离角的方向进行晶锭的转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，形成剥离面，该改质层形成加工中，将对SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并在与形成偏离角的方向正交的方向进行晶锭的加工进给，从而在晶锭内部形成改质层和从该改质层沿c面传播的裂痕；晶片生成工序，以剥离面为界面将晶锭的一部分剥离，生成SiC晶片。SiC晶片的生成方法还包括：倒角加工工序，对剥离得到的SiC晶片的外周实施倒角加工而去除毛刺；磨削工序，对SiC晶片的剥离面进行磨削，精加工成平滑面。

技术领域

本发明涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是将功能层层叠在以Si(硅)、Al₂O₃(蓝宝石)等作为材料的晶片的正面并利用分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是将功能层层叠在以单晶SiC(碳化硅)作为材料的晶片的正面并利用分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片利用切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。

形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其莫氏硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。

因此，有人提出了下述技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在SiC晶锭的内部来对SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断，而从SiC晶锭生成SiC晶片(参见专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2013-49161号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献2所公开的现有技术中，为了从SiC晶锭生成SiC晶片，必须每隔10μm左右的间隔致密地形成改质层，存在生产率差的问题。

由此，本发明的目的在于提供实现生产率的提高的SiC晶片生成方法。

用于解决课题的手段

根据本发明，提供一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有第一面、该第一面相反侧的第二面、从该第一面到该第二面且相对于该第一面的垂线倾斜的c轴、以及与该c轴正交的c面，在该c面与该第一面之间形成偏离角，该SiC晶片的生成方法包括下述工序：

剥离面形成工序，使该单晶SiC晶锭与对于SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点相对地在形成该偏离角的第二方向进行转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，从而形成剥离面，该改质层形成加工中，将该聚光点定位在距离该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该单晶SiC晶锭与该聚光点相对地在与形成该偏离角的第二方向正交的第一方向进行加工进给的同时，对该单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，从而SiC分离成Si和C，接着照射的脉冲激光光线被先前形成的C吸收，SiC连锁地分离成Si和C而形成直线状的改质层，并且形成从该改质层沿着该c面传播的裂痕；

晶片生成工序，以该剥离面作为界面将该单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片；