[发明专利]一种扇出型封装方法

权利要求书

1.一种扇出型封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；

将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供封装基板包括：

提供设有所述焊盘的所述硅晶圆基层；

在所述硅晶圆基层相对设置的两侧分别形成所述第一再布线层、第二再布线层，所述第二再布线层形成于所述焊盘之上且电连接所述焊盘。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一再布线层之前包括：

设置所述硅晶圆基层的状态使其具有所述焊盘的一侧位于下方；

在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：研磨所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧，以使得所述硅晶圆基层的厚度小于或等于预定厚度。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述提供封装基板包括：在所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧贴合加强板；

所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：撤去所述加强板。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接包括：所述芯片表面设置有金属凸点，将所述芯片的所述金属凸点与所述第二再布线层回流焊接，以使得所述芯片与所述第二再布线层电连接，并通过所述第二再布线层与所述焊盘电连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述第二再布线层电连接之后包括：将所述芯片和所述硅晶圆基层的形成有所述第二再布线层一侧进行塑封。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述第二再布线层电连接之前包括：提供载板，将所述硅晶圆基层的形成有所述第一再布线层的一侧与所述载板连接；所述将所述芯片和所述硅晶圆基层的形成有所述第二再布线层一侧进行塑封之后还包括：去除所述载板。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圆基层形成所述第二再布线层，包括：

在所述硅晶圆基层设置有所述焊盘的一侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述焊盘的位置设置第一开口；

在所述第一钝化层背对所述硅晶圆基层的表面形成第一种子层；

在所述第一种子层背对所述硅晶圆基层的表面形成第一掩膜层，并在所述第一掩膜层对应所述焊盘的位置设置第二开口；

在所述第二开口内形成所述第二再布线层；

去除所述第一掩膜层以及所述第二再布线层以外的第一种子层；

其中，所述焊盘、所述第一种子层、所述第二再布线层电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圆基层形成所述第二再布线层之后，包括：在所述第二再布线层背对所述硅晶圆基层的一侧至少再形成一再布线层；

在所述第二再布线层背对所述硅晶圆基层的一侧至少再形成一再布线层包括：

在所述第二再布线层背对所述硅晶圆基层的表面形成第一介电层，并在所述第一介电层上设置第三开口；

在所述第一介电层背对所述硅晶圆基层的表面形成第二种子层；

在所述第二种子层背对所述硅晶圆基层的表面形成第二掩膜层，并在所述第二掩膜层设置第四开口；

在所述第四开口内形成第三再布线层；

去除所述第二掩膜层以及所述第三再布线层以外的第二种子层；

其中，所述第二再布线层、所述第二种子层、所述第三再布线层电连接。