[发明专利]半导体装置及布局方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一组导电层，其与有源装置耦合；

第二组导电层，其用于连接至外部装置；

一组中间导电层，其介于所述第一组导电层与所述第二组导电层之间；以及

电阻层，其放置于所述一组中间导电层中，其中所述电阻层紧邻地放置在所述一组中间导电层中的一者与所述一组中间导电层中的另一者之间，其中所述电阻层不会使所述一组中间导电层中的所述一者与所述一组中间导电层中的所述另一者耦合；

其中所述电阻层放置在一维导电层与二维导电层之间或放置在二维导电层与另一二维导电层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一组导电层包含在所述有源装置的栅极上方的第一导电层、介于所述栅极与所述第一导电层之间的导电层以及紧邻所述第一导电 层上方放置的第二导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电阻层放置在紧邻所述第二导电层上方放置的第三导电层与所述第二组导电层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电阻层包含薄膜电阻器。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述电阻器包含选自氮化钛、氮化钽或多晶硅的材料。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中在所述电阻器中的一者下方的第一区域和在所述电阻器的所述一者下方的第二区域具有根据图案式样的相同尺寸特征，其中所述第一区域以及所述第二区域包括有源扩散区域、多晶硅或金属栅极区域及下部导电层中的一者。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在紧邻所述电阻层放置的阶层结构中的至少一导电层是浮动的。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中紧邻在所述电阻层下方放置的至少一导电层是浮动的。

9.一种半导体装置，其包括：

第一组导电层，其与有源装置耦合；

一组中间导电层，其放置在所述第一组导电层上方；以及

电阻层，其放置在所述一组中间导电层中，其中所述电阻层放置在一维导电层与二维导电层之间或放置在二维导电层与另一二维导电层之间，

其中紧邻所述电阻层放置的阶层结构中的至少一导电层是浮动的。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中紧邻在所述电阻器层上方放置的至少一导电层是浮动的。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中紧邻在所述电阻器层下方放置的至少一导电层是浮动的。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中紧邻所述电阻器层上方放置的至少一导电层和紧邻所述电阻器层下方放置的至少一导电层是浮动的。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包括用于连接到外部装置的第二组导电层，其中所述一组中间导电层放置在所述第一组导电层与所述第二组导电层之间。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述电阻层包含多个电阻器，其中在所述电阻器中的一者下方的第一区域和在所述电阻器的所述一者下方的第二区域具有根据图案式样的相同尺寸特征，其中所述第一区域以及所述第二区域包括有源扩散区域、多晶硅或金属栅极区域及下部导电层中的一者。