[发明专利]半导体装置及布局方法

说明书

本发明实施例揭露一种半导体装置及布局方法。所述半导体装置包括：第一组导电层，其与有源装置耦合；第二组导电层，其用于连接至外部装置；一组中间导电层，其介于所述第一组导电层与所述第二组导电层之间；及电阻层，其放置于所述一组中间导电层中。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置及布局方法。

背景技术

布局中的半导体裸片可包括模拟区、数字区及内存区。裸片中添加有电阻器以便减小噪声及使大区中的较快蚀刻最小化。所述电阻器可占据模拟区的5％或5％以上或者裸片区的1％至2％。随着半导体集成电路(IC)工业中的指数增长，IC材料及设计中的技术进步已产生数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的进程中，功能密度通常增加，而几何大小减小。所述按比例缩小过程通常通过增加生产效率及降低相关联成本而提供益处。先进半导体过程中为了达成高面积成本效率已将电阻器的布局纳入考虑。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一组导电层，其与有源装置耦合；第二组导电层，其用于连接至外部装置；一组中间导电层，其介于所述第一组导电层与所述第二组导电层之间；及电阻层，其放置于所述一组中间导电层中。

本发明的实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一组导电层，其与有源装置耦合；一组中间导电层，其放置于所述第一组导电层上方；及电阻层，其放置于所述一组中间导电层中，其中阶层结构中紧邻于电阻器层放置的至少一导电层是浮动的。

本发明的实施例涉及一种布局方法，其包含：从库检索布局设计，所述布局设计包括用于连接至有源装置的第一组导电层、用于连接至外部装置的第二组导电层及介于所述第一组导电层与所述第二组导电层之间的中间层；及将电阻层放置于所述中间导电层中。

附图说明

当连同附图一起阅读时，根据以下详细说明最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种构件未按比例绘制。实际上，为讨论的清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。

图1是根据实施例的半导体装置的剖面图。

图2是根据某些实施例的半导体装置的布局的剖面图。

图3是根据某些实施例的半导体装置的布局的示意性俯视图。

图4A及4B是一维(1D)导电层的布局实例。

图4C是一个二维(2D)导电层的布局实例。

图5是根据另一实施例的半导体装置的剖面图。

图6A至6D是根据某些实施例的半导体装置的剖面图。

图7是根据某些实施例的半导体装置的剖面图。

图8是根据某些实施例的半导体装置的布局俯视图。

图9是根据某些实施例的展示布局方法的流程图。

图10是根据某些实施例的用于布局设计的系统的功能框图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供目标物的不同构件的诸多不同实施例或实例。以下阐述组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，所述特定实例仅为实例且并非意欲为限制性的。举例而言，以下说明中的在第二构件上方或在第二构件上形成第一构件可包括其中第一构件与第二构件以直接接触方式形成的实施例，且也可包括其中可在第一构件与第二构件之间形成额外构件使得第一构件与第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。所述重复是出于简化及清晰目的且本质上并不指定所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。