[发明专利]一种实现占空比调整的装置

权利要求书

1.一种实现占空比调整的装置，其特征在于，包括：时钟转换和占空比调整电路、单端转差分电路和占空比检测和控制电路；其中，

时钟转换和占空比调整电路用于，接收单端电流型逻辑电路CML时钟信号和来自占空比检测和控制电路的控制信号，输出单端互补金属氧化物半导体CMOS时钟信号；

单端转差分电路的输入端与时钟转换和占空比调整电路的输出端连接，单端转差分电路的输出端与占空比检测和控制电路的输入端连接，用于根据来自时钟转换和占空比调整电路的单端CMOS时钟信号输出差分CMOS时钟信号；

占空比检测和控制电路用于：输出控制信号；

所述时钟转换和占空比调整电路包括单端时钟信号输出单元和VCM调整单元；其中，

单端时钟信号输出单元用于：根据接收的所述单端CML时钟信号及VCM电平信号输出单端CMOS时钟信号；

所述VCM调整单元：根据来自所述占空比检测和控制电路的控制信号，向单端时钟信号输出单元输出VCM电平信号。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述VCM调整单元包括第一模块、第二模块、第一P沟道场效应管PMOS1、第一N沟道场效应管NMOS1和第一电阻R1构成；其中，

第一模块，由两个或两个以上第一场效应管组合元件构成，所述第一场效应管组合元件由两个或两个以上P沟道场效应管构成，通过控制信号控制各所述第一场效应管组合元件的接入状态；

第二模块，由两个或两个以上第二场效应管组合元件构成，所述第二场效应管组合元件由两个或两个以上N沟道场效应管构成，接收控制信号后，根据接收的控制信号控制各所述第二场效应管组合元件的接入状态；

第一P沟道场效应管Mp1的源衬端接电源，第一N沟道场效应管Mn1的源衬端接地，第一P沟道场效应管Mp1和第一N沟道场效应管Mn1的源衬相接、栅漏相接；第一P沟道场效应管Mp1的栅漏端、第一N沟道场效应管Mn1的栅漏端、第一模块的输出端、第二模块的输出端和第一电阻R1的第一端连接；

第一电阻R1的第二端作为输出端，根据各所述第一场效应管组合元件的接入状态、各所述第二场效应管组合元件的接入状态、第一P沟道场效应管Mp1的工作状态和第一N沟道场效应管Mn1的工作状态输出所述VCM电平信号。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所有所述第一场效应管组合元件以并联方式连接，所有所述第二场效应管组合元件以并联方式连接。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，

所述第一场效应管组合元件包括第二P沟道场效应管Mp2、第三P沟道场效应管Mp3、第四P沟道场效应管Mp4和第一反相器INV1，第二P沟道场效应管Mp2的源衬端、第三P沟道场效应管Mp3的源衬端、第四P沟道场效应管Mp4的衬端电源相连，第二P沟道场效应管Mp2的栅端、第三P沟道场效应管Mp3的漏端、第四P沟道场效应管Mp4的源端相连，控制信号由第二P沟道场效应管Mp2的栅端和第一反相器INV1的输入端输入；第四P沟道场效应管Mp4的栅端与第一反相器INV1的输出端相连，第二P沟道场效应管Mp2的漏端、第四P沟道场效应管Mp4的漏端相连；根据所述控制信号控制第一场效应管组合元件的所述第二P沟道场效应管Mp2的接入状态；

所述第二场效应管组合元件包括第二N沟道场效应管Mn2、第三N沟道场效应管Mn3、第四N沟道场效应管Mn4和第二反相器INV2，第二N沟道场效应管Mn2的源衬端、第三N沟道场效应管Mn3的源衬端、第四N沟道场效应管Mn4的衬端电源相连，第二N沟道场效应管Mn2的栅端、第三N沟道场效应管Mn3的漏端、第四N沟道场效应管Mn4的源端相连，控制信号由第二N沟道场效应管Mn2的栅端和第二反相器INV2的输入端输入；第四N沟道场效应管Mn4的栅端与第二反相器INV2的输出端相连，第二N沟道场效应管Mn2的漏端、第四N沟道场效应管Mn4的漏端相连；根据所述控制信号控制第二场效应管组合元件的所述第二N沟道场效应管Mn2的接入状态。