[发明专利]一种控制掺杂曲线一致性的方法

权利要求书

1.一种控制掺杂曲线一致性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

进舟步，升温步，氧化步；分步沉积，在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气、氧气、掺杂源进行预沉积；

所述掺杂源为磷源或硼源；

所述温度梯度为：

当掺杂源为磷时，温度在775～795℃范围内从炉尾到炉口逐渐升高；

当掺杂源为硼时，温度在990～1010℃范围内从炉尾到炉口逐渐升高；

在分步沉积之后还包括升温推结步，升温推结步包括高温推结步，高温推结步的炉口到炉尾温度设置相同；

在升温推结步之后进行降温退火步，出舟步。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分步沉积包括两次低温沉积步，每次低温沉积步为：

在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气6000～10000sccm，氧气500～1500sccm，掺杂源流量1500～2500sccm，进行预沉积，时间为300～500S。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一次低温沉积步之后、第二次低温沉积步之前还包括：

第一次稳定步，低温通入掺杂源后，继续通入氧气500～1500sccm，消耗前次低温沉积步剩余的掺杂源。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二次低温沉积步之后还包括：

第二次稳定步，低温通入掺杂源后，继续通入氧气500～1500sccm，消耗后次低温沉积步剩余的掺杂源。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在分步沉积之前还包括：

所述进舟步为，碳化硅桨载着装满硅片的石英舟进入炉管；

所述升温步为，在通入氮气的氛围下，炉管升温；

所述氧化步为，通入氮气与氧气，对硅片表面进行氧化预处理，形成一层薄氧化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

当掺杂源为磷时，

进舟步，在温度为760～800℃、氮气流量为8000～12000sccm、时间为700～900S的条件下进行；

升温步，在氮气流量为8000～12000sccm的氛围下，炉管升温到760～800℃，时间为400～800S；

氧化步，通入6000～10000sccm的氮气与1500～2500sccm的氧气，时间为500～700S；

当掺杂源为硼时，

进舟步，在温度为960～1000℃、氮气流量为8000～12000sccm、时间为700～900S的条件下进行；

升温步，在氮气流量为8000～12000sccm的氛围下，炉管升温到960～1000℃，时间为400～800S；

氧化步，通入6000～10000sccm的氮气与1500～2500sccm的氧气，时间为500～700S。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，升温推结步具体为，扩散炉快速升温到设定温度，在该温度条件下，进行推结处理，使硅玻璃层中的掺杂源向硅中扩散；

所述降温退火步为，推结完成后，在高氧的条件下，开始缓慢降温；

所述出舟步为，降温结束后，石英舟出管，扩散结束。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

当掺杂源为磷时，

升温推结步包括：

快速升温步，在氮气流量为8000～12000sccm的氛围下，扩散炉快速升温到设定的高温温度，快速升温步中的高温温度为800～880℃，升温时间为100～500S；

高温推结步，在高温条件下，进行推结处理，使硅玻璃层中的掺杂源向硅中扩散；高温推结步中的高温温度与快速升温步中的高温温度相同，高温推结步中的推结时间为400～800S；

降温退火步中降温至700～740℃；

当掺杂源为硼时，

升温推结步包括：

快速升温步，在氮气流量为8000～12000sccm的氛围下，扩散炉快速升温到设定的高温温度，快速升温步中的高温温度为100～1080℃，升温时间为100～500S；

高温推结步，在高温条件下，进行推结处理，使硅玻璃层中的掺杂源向硅中扩散；高温推结步中的高温温度与快速升温步中的高温温度相同，高温推结步中的推结时间为400～800S；

降温退火步中降温至900～940℃。