[发明专利]一种控制掺杂曲线一致性的方法

说明书

本发明公开了一种控制掺杂曲线一致性的方法，属于光伏技术领域。该方法包括进舟步、升温步、氧化步、分步沉积、升温推结步、降温退火步、出舟步，其中，分步沉积为，在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气、氧气、掺杂源气体进行预沉积；其扩散工艺采用分步多次沉积的方法，增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性，并且通过设计沉积步温度，使各温区温度从炉尾到炉口依次增加，形成温度梯度，增加了炉口区域的掺杂源在硅中的固溶度，补偿了炉口区域掺杂源掺杂过少的问题，保证了表面浓度的一致性及各区域掺杂源掺杂量的一致性，进而保证硅片结深一致性；通过该方法使扩散工艺的掺杂曲线更一致，电性能参数更加一致，提升了组件的CTM。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种控制掺杂曲线一致性的方法。

背景技术

现有扩散工艺采用先低温沉积、后高温推进，并选用炉尾进气和炉口抽气的方式制作PN结，由于高温推进步骤温度不同，其炉口温度高、炉尾温度低，使硅片各区域温度的不一致，容易造成靠近炉尾掺杂源浓度偏高，炉口掺杂源浓度低，导致了PN结结深的不一致。另外，通源沉积步温度基本一致，没有形成温度梯度，这样就造成了炉尾掺杂源掺杂过多，炉口掺杂过少，使得表面浓度存在不一致。如图1所示，A曲线代表炉尾掺杂，B曲线代表炉口掺杂。由于掺杂程度不同，导致掺杂后的曲线不一致，造成电性能参数存在明显差异，最终生产成组件后，组件CTM值偏低，其中，CTM值，即Cell ToModule，代表组件输出功率与电池片功率总和的百分比，用来表示组件功率损失的程度，CTM值越高，表示组件封装功率损失的程度越小，如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。

发明内容

本发明的目的在于提出一种控制掺杂曲线一致性的方法，其能够有效提高掺杂曲线的一致性。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种控制掺杂曲线一致性的方法，包括如下步骤：

分步沉积，在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气、氧气、掺杂源进行预沉积。

作为本发明的方法的一种优选方式，分步沉积包括两次低温沉积步，每次低温沉积步为：

在炉尾到炉口存在温度梯度的情况下，通入氮气6000～10000sccm，氧气500～1500sccm，掺杂源流量1500～2500sccm，进行预沉积，时间为300～500S。例如氮气为6000sccm、6500sccm、7000sccm、7500sccm、8000sccm、8500sccm、9000sccm、9500sccm、10000sccm；氧气为500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm、1200sccm、1300sccm、1400sccm、1500sccm；掺杂源流量为1500sccm、1600sccm、1700sccm、1800sccm、1900sccm、2000sccm、2100sccm、2200sccm、2300sccm、2400sccm、2500sccm；时间为300S、310S、320S、330S、340S、350S、360S、370S、380S、390S、400S、410S、420S、430S、440S、450S、460S、470S、480S、490S、500S。

作为本发明的方法的一种优选方式，第一次低温沉积步之后、第二次低温沉积步之前还包括：

第一次稳定步，低温通入掺杂源后，继续通入氧气500～1500sccm，消耗前次低温沉积步剩余的掺杂源。例如氧气流量为500sccm、600sccm、700sccm、800sccm、900sccm、1000sccm、1100sccm、1200sccm、1300sccm、1400sccm、1500sccm。

作为本发明的方法的一种优选方式，第二次低温沉积步之后还包括：