[发明专利]存储电路和数据处理系统

说明书

一种存储电路包括：数据存储元件阵列；访问电路，用于通过针对数据存储元件的访问信号来访问由该数据存储元件存储的数据位，所述数据存储元件被使能以供访问；以及控制电路，用于使能各数据存储元件组以供访问，所述组具有组大小，所述组大小为1或更大，针对一组中的数据存储元件的访问信号被组合以提供对于该数据存储元件组公共的组合访问信号；所述控制电路配置为选择性地在至少第一模式和第二模式中操作，所述第一模式中的组大小不同于所述第二模式中的组大小。

技术领域

本公开涉及存储电路和数据处理系统。

背景技术

一些数据处理系统可以被设计或要求为在不同的电源电压下操作。

在存储电路的情况下，许多存储元件的设计取决于检测读取信号并区分读取信号是指示存储逻辑1还是存储逻辑0。随着电源电压降低，在没有用于减轻这些问题的技术的情况下，存储电路的操作可能变得不太可靠。存储读取操作和存储写入操作中的任一个或两者中都可能发生故障或不正确的操作。

旨在提供电压可缩放存储电路的更可靠操作的一种方法是通过并入附加的晶体管来修改存储元件或基本位单元架构(比如，所谓的6T(6晶体管)静态随机存取存储器(SRAM)单元的设计。例如，这些额外的晶体管可以服务如下的目的：如在8T架构中避免读取访问和写入访问之间的竞争，或者提供改进的交叉点选择，以便如在10T架构中在未选择写入访问期间避免所谓的读取干扰。

6T单元是已建立的架构，制造技术并且已经被开发以允许6T单元阵列的高效布局和制造，以及一旦阵列被制造好，允许阵列的高效操作和电源消耗。术语“铸造优化”有时用于指代这种6T单元。本领域中的这个通俗术语并不暗示这种6T布局是完美的，而是指已经建立的6T设计与一些其它位单元设计相比而言的相对复杂级别。然而，与使用更多晶体管的其它单元设计相比，6T单元具有较低的电压可缩放操作能力。话虽如此，上述每个修改都需要定制的非铸造优化的位单元，其可能潜在地增加面积和/或功耗开销，并且可能需要在它们的布局方面的更多工作。

发明内容

在示例布置中，提供了一种存储电路，包括：

访问电路，用于通过针对数据存储元件的访问信号来访问由该数据存储元件存储的数据位，所述数据存储元件被使能以供访问；以及

控制电路，用于使能各数据存储元件组以供访问，所述组具有组大小，所述组大小为1或更大，针对一组中的数据存储元件的访问信号被组合以提供对于该数据存储元件组公共的组合访问信号；

所述控制电路配置为选择性地在至少第一模式和第二模式中操作，所述第一模式中的组大小不同于所述第二模式中的组大小。

在另一示例布置中，提供了一种存储电路，包括：

数据存储元件阵列；

访问装置，用于通过针对数据存储元件的访问信号来访问由该数据存储元件存储的数据位，所述数据存储元件被使能以供访问；以及

控制装置，用于使能各数据存储元件组以供访问，所述组具有组大小，所述组大小为1或更大，针对一组中的数据存储元件的访问信号被组合以提供对于该数据存储元件组公共的组合访问信号；

所述控制装置可操作来选择性地在至少第一模式和第二模式中操作，所述第一模式中的组大小与所述第二模式中的组大小不同。

在另一示例布置中，提供了一种方法，包括：

使能各数据存储元件阵列的数据存储元件组以供访问，所述组具有组大小，所述组大小是1或更大；

将针对一组中的数据存储元件的访问信号组合以提供组合访问信号；

通过用于所述组的数据存储元件的公共访问信号来访问数据存储元件组；以及