[发明专利]悬垂型喷射器的支承构造和基板处理装置有效
申请号: | 201710748564.7 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107799435B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 佐佐木祐也;高桥喜一;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬垂 喷射器 支承 构造 处理 装置 | ||
1.一种悬垂型喷射器的支承构造,其具有:
悬垂型喷射器,其具有沿着铅垂方向延伸的管状的铅垂部;
1个以上的缺口部,其是对该铅垂部的上端附近的外周面进行局部切除而形成的;
一对保持构件,其在各自的内周面具有与该缺口部卡合的平坦面,所述一对保持构件能够从两侧夹持所述悬垂型喷射器的所述铅垂部而卡合保持所述铅垂部;以及
支承构造部,其从上下夹持该一对保持构件来固定支承该一对保持构件,并能够悬垂支承所述悬垂型喷射器,
其中,所述支承构造部包括:
基部,其包括收容所述一对保持构件的凹部,以及
按压构件,其按压所述一对保持构件的上表面和所述基部的上表面。
2.根据权利要求1所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述悬垂型喷射器由石英形成,
所述保持构件由树脂形成。
3.根据权利要求2所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述树脂是氟化碳树脂。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述支承构造部还具有:
弹性构件,其隔着套筒弹性支承所述保持构件的底面。
5.根据权利要求4所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
该基部具有:
贯通孔,其供所述悬垂型喷射器的所述铅垂部贯通,
所述凹部能够将所述弹性构件、所述套筒和所述保持构件收容于该贯通孔的上端部。
6.根据权利要求5所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述悬垂型喷射器的所述铅垂部在所述缺口部的正下方具有整周被削除到与所述缺口部相同的面的带状的凹坑部,
所述弹性构件是O形环,该弹性构件设置为与所述凹部的底面、所述凹坑部、所述套筒的底面接触。
7.根据权利要求6所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述按压构件是流体的导入配管的下端部,该按压构件覆盖由所述保持构件保持着的所述悬垂型喷射器的上端,并且与所述悬垂型喷射器连通。
8.根据权利要求7所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
该悬垂型喷射器的支承构造还具有螺母构件,螺母构件覆盖所述按压构件的上表面和侧面、所述基部的侧面的至少上部,并且供所述导入配管贯通,
该螺母构件通过与所述基部的侧面螺纹结合来按压所述按压构件。
9.根据权利要求8所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
在所述按压构件与所述基部之间设置有密封构件。
10.根据权利要求9所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
在所述基部的底面设置有密封构件,所述基部构成为能够具有气密性地设置于处理室的上表面。
11.根据权利要求1~3中任一项所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述悬垂型喷射器呈在所述铅垂部之下具有水平延伸的部分的T字或L字的形状,
利用所述铅垂部的缺口部与所述保持构件之间的卡合来进行所述T字或所述L字的形状的定位。
12.根据权利要求1~3中任一项所述的悬垂型喷射器的支承构造,其中,
所述悬垂型喷射器整体上构成为所述铅垂部。
13.根据权利要求1~3中任一项所述的悬垂型喷射器的支承构造,
所述缺口部在所述悬垂型喷射器的所述外周面的相对面彼此成对地形成。
14.一种基板处理装置,其具有:
处理室;以及
权利要求1~13中任一项所述的悬垂型喷射器的支承构造,其设置于该处理室的上表面,
该悬垂型喷射器的支承构造的所述悬垂型喷射器从所述上表面导入到所述处理室内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造