[发明专利]错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统

权利要求书

1.错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，包括：上位机、设置于移动台上的待测芯片、漏电流采集模块、敏感位置分析模块、能量参数控制模块，

上位机，用于采集待测芯片的状态信号，采集移动台的位置信号，将该状态信号、位置信号传输至敏感位置分析模块；用于根据敏感位置分析模块输出的敏感位置控制信号控制移动台移动至预定位置；

漏电流采集模块，用于采集的待测芯片的漏电流信号，并对该漏电流信号进行处理后，传输至敏感位置分析模块；

敏感位置分析模块，用于根据接收的状态信号，动态调整干扰源的能量参数，根据调整后的能量参数，向能量参数控制模块输出用于控制能量参数的能量参数控制信号；用于根据接收的位置信号、处理后的漏电流信号，确定待测芯片的敏感位置，根据确定的敏感位置，向上位机输出用于控制移动台移动至预定位置的敏感位置控制信号；

能量参数控制模块，用于根据能量参数控制信号，控制干扰源输出的能量。

2.根据权利要求1所述的错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，所述敏感位置分析模块确定敏感位置的方法是：

S1：对待测芯片上的N个测试位置进行测试，根据待测芯片的状态信号，动态调整能量参数，确定能量参数上限；

S2：在该能量参数上限的范围内，对待测芯片上的N`个测试位置进行测试，根据待测芯片的位置信号、漏电流信号，确定敏感位置区域，方法是：

获取每个测试位置的坐标及相应测试位置对应的漏电流均值，从中确定至少一个极大值点，计算极大值点对应的漏电流均值相较于一基准漏电流均值的漏电流变化率，将该漏电流变化率与一预设的漏电流变化阈值进行比较，若漏电流变化率大于漏电流变化阈值，保留相应的极值点，反之筛掉相应的极值点；对于保留的极值点，确定临近该极值点的若干测试位置点，计算各测试位置点的漏电流变化率，并分别与漏电流变化阈值进行比较，若漏电流变化率大于漏电流变化阈值，保留相应的测试位置点，反之筛掉相应的测试位置点；由所有保留的测试位置点的位置确定敏感位置区域；

其中，N`大于N。

3.根据权利要求2所述的错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，所述敏感位置分析模块确定敏感位置的方法还包括：

S3：在确定的敏感位置区域内，对N``个测试位置进行测试，调整所述漏电流变化阈值，按照所述步骤S2的方法，更新敏感位置区域；其中，N``大于N`。

4.根据权利要求3所述的错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，所述状态信号包括是否发生闩锁、是否正常运行，所述敏感位置分析模块动态调整能量参数的方法是：

判断1：待测芯片是否发生闩锁？若发生闩锁，判断能量注入过大，若未发生闩锁，进行判断2；

判断2：待测芯片是否正常运行？若正常运行，判断能量注入略小；

根据判断1-2的分析结果，动态调整能量参数，生成调整后的能量参数。

5.根据权利要求4所述的错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，所述干扰源为激光器，其对应的能量参数包括能量大小、干扰持续时间、干扰次数，所述干扰源为电磁干扰器，其对应的能量参数包括干扰持续时间、电磁驱动电压、电磁驱动脉宽、干扰次数。

6.根据权利要求2所述的错误注入测试中检测芯片敏感位置的系统，其特征在于，多次采集待测芯片正常工作情况下的漏电流信号，确定所述基准漏电流均值。