[发明专利]基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710749283.3 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN107507807B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;周斌;赵策;成军;刘军;鲍俊;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种基板的制备方法,其特征在于,包括:
依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;
通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔;
在形成有过渡孔的第二绝缘层上涂覆一层光刻胶;
形成暴露出过渡孔的第二光刻胶孔,所述第二光刻胶孔的孔径大于所述过渡孔的孔径;
通过刻蚀工艺对所述第二光刻胶孔处暴露出的第一绝缘层和第二绝缘层进行刻蚀,形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔;
剥离剩余的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔,包括:
在所述第二绝缘层上涂覆一层光刻胶;
在所述连接孔位置形成暴露出第二绝缘层的第一光刻胶孔;
通过刻蚀工艺对所述第一光刻胶孔处暴露出的第二绝缘层进行刻蚀,形成过渡孔,所述过渡孔的深度大于第二绝缘层的厚度,小于第一绝缘层和第二绝缘层的厚度之和;
剥离剩余的光刻胶。
3.根据权利要求1-2任一所述的方法,其特征在于,所述依次形成第一绝缘层和第二绝缘层,包括:
在基底上形成第一控制电极和第二控制电极;
形成覆盖所述第一控制电极和第二控制电极的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成有源层;
形成覆盖所述有源层的第二绝缘层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔,还包括:
形成暴露出有源层的第一电极过孔和第二电极过孔。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔的同时,形成暴露出有源层的第一电极过孔和第二电极过孔。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
形成第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极分别通过所述第一电极过孔和所述第二电极过孔与所述有源层连接,所述第二电极还通过所述连接孔与所述第二控制电极连接。
7.根据权利要求1-2任一所述的方法,其特征在于,所述形成贯穿所述第二绝缘层的过渡孔的时间为80~100秒,所述形成贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的连接孔的时间为80~100秒。
8.一种基板,其特征在于,所述基板采用权利要求1-7中任一种方法制备。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求8所述的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造