[发明专利]一种应用于立方星的电源母线电路有效
申请号: | 201710749342.7 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107359674B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 马海宁;黄雨晨;张翔 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱沉雁 |
地址: | 210094 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 电源母线 正极端 钽电容 电路 功能集成度 地面测试 能量损失 陶瓷电容 体积小 并联 入轨 上电 断电 应用 | ||
1.一种应用于立方星的电源母线电路,其特征在于:包括第一Molex接插件H1、第二Molex接插件H2、第一P-MOS管Q1、第二P-MOS管Q2、第三P-MOS管Q3、第四N-MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一陶瓷电容C1、第二陶瓷电容C2、第三钽电容C3和第四钽电容C4;所述第一Molex接插件H1外接立方星RBF端口,第二Molex接插件H2外接立方星分离开关;第三P-MOS管Q3的S极接蓄电池输入端口BUS_IN,标称电压为7.4V;
所述第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2并联,第一P-MOS管Q1的S极和第二P-MOS管Q2的S极相连后再分别与第二电阻R2的一端、第三P-MOS管Q3的S极、第一电阻R1的一端相连;第一P-MOS管Q1的G极和第二P-MOS管Q2的G极相连后再分别与第二电阻R2的另一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端、第三P-MOS管Q3的D极、第二陶瓷电容C2的一端相连;第一P-MOS管Q1的D极和第二P-MOS管Q2的D极相连后再分别与第七电阻R7的一端、第三钽电容C3的正极端、第四钽电容C4的正极端相连;
所述第三钽电容C3的负极端接地;
所述第四钽电容C4的负极端接地;
所述第二陶瓷电容C2的另一端接地;
所述第一电阻R1的另一端分别与第三P-MOS管Q3的G极和第一Molex接插件H1的第一引脚1相连;
所述第一Molex接插件H1的第二引脚2接地;
所述第三电阻R3的另一端与第二Molex接插件H2的第四引脚4相连;
所述第四电阻R4的另一端与第二Molex接插件H2的第二引脚2相连;
所述第二Molex接插件H2的第一引脚1接地,第二Molex接插件H2的第三引脚3接地;
所述第五电阻R5的另一端与第四N-MOS管Q4的D极相连;
所述第七电阻R7的另一端分别与第六电阻R6的一端、第一陶瓷电容C1的一端、第四N-MOS管Q4的G极相连;
所述第四N-MOS管Q4的S极接地;
所述第一陶瓷电容C1的另一端接地;
所述第六电阻R6的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的应用于立方星的电源母线电路,其特征在于:在立方星装入分离机构之前,分离开关处于释放状态,此时第二Molex接插件H2的第一引脚1与第二Molex接插件H2的第二引脚2短接,第二Molex接插件H2的第三引脚3与第二Molex接插件H2的第四引脚4短接;RBF插头插入RBF端口,此时第一Molex接插件H1的第一引脚1与第一Molex接插件H1的第二引脚2短接;第三P-MOS管Q3的G极接地,第三P-MOS管Q3的S极接蓄电池输入端口BUS_IN,使得第三P-MOS管Q3导通,第三P-MOS管Q3的D极电压为7.4V,即第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2的G极电压均为7.4V,等于第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2的S极电压,因此第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2均截止,蓄电池与供配电模块断开,整星断电;此过程中第一电阻R1、第三电阻R3和第四电阻R4均起到分流作用,第二电阻R2起到上拉作用。
3.根据权利要求1所述的应用于立方星的电源母线电路,其特征在于:在立方星装入分离机构后,分离开关处于压紧状态,此时第二Molex接插件H2的第一引脚1与第二Molex接插件H2的第二引脚2断开,第二Molex接插件H2的第三引脚3与第二Molex接插件H2的第四引脚4断开;将RBF插头从RBF端口拔除,此时第一Molex接插件H1的第一引脚1浮空;第三P-MOS管Q3的G极电压经第一电阻R1上拉至7.4V,等于第三P-MOS管Q3的S极电压,导致Q3截止;第二Molex接插件H2的第四引脚4与第二Molex接插件H2的第二引脚2均浮空,第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2的G极电压经第二电阻R2上拉至7.4V,等于第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2的S极电压,使得第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2均截止,蓄电池与供配电模块断开,整星断电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710749342.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。