[发明专利]一种应用于立方星的电源母线电路

说明书

本发明公开了一种应用于立方星的电源母线电路，所述第一P‑MOS管Q1和第二P‑MOS管Q2并联，第一P‑MOS管Q1的S极和第二P‑MOS管Q2的S极相连后再分别与第二电阻R2的一端、第三P‑MOS管Q3的S极、第一电阻R1的一端相连；第一P‑MOS管Q1的G极和第二P‑MOS管Q2的G极相连后再分别与第二电阻R2的另一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端、第三P‑MOS管Q3的D极、第二陶瓷电容C2的一端相连；第一P‑MOS管Q1的D极和第二P‑MOS管Q2的D极相连后再分别与第七电阻R7的一端、第三钽电容C3的正极端、第四钽电容C4的正极端相连。本发明具有体积小、功能集成度高、能量损失小的特点，解决了立方星地面测试后的断电、入轨后自主上电的需求。

技术领域

本发明属于立方星电源分系统领域，特别是一种应用于立方星的电源母线电路。

背景技术

近年来，随着通信、光电元件、材料、传感器、等技术的快速发展，具有低成本、高功能密度特点的立方星逐步兴起，使得卫星的研制成本和研制周期都大大减少，利用立方星进行远程测量、试验成为可能。

电源系统作为立方星重要分系统，其任务是要保证在轨能够向整星提供安全可靠的供电，但受限于体积和能源有限，电源系统应充分考虑高效、小体积设计方式。立方星在地面调试完毕到进厂装入分离装置中，要求整星处于断电状态；立方星入轨后弹出分离装置后要求整星能自主上电。因此需要设计一种母线，位于蓄电池和供配电模块之间，实现蓄电池能量的接入与断开，使得立方星满足地面断电与入轨自主上电的要求。

传统小卫星母线多采用继电器作为控制开关，然而这种方式由于继电器体积过大、能量损耗偏大，不适用于立方星电源系统设计。金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)由于体积小、功耗小、易于控制等特点非常适用于立方星电源母线，可以实现立方星电源母线的高集成化、低能量损耗和高可靠性的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于立方星的电源母线电路，具有体积小、功能集成度高、能量损失小的特点，解决了立方星地面测试后的断电、入轨后自主上电的需求。

实现本发明目的的技术解决方案为：一种应用于立方星的电源母线电路，包括第一Molex接插件H1，第二Molex接插件H2，第一P-MOS管Q1，第二P-MOS管Q2，第三P-MOS管Q3，第四N-MOS管Q4，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第一陶瓷电容C1，第二陶瓷电容C2，第三钽电容C3和第四钽电容C4。

所述第一P-MOS管Q1和第二P-MOS管Q2并联，第一P-MOS管Q1的S极和第二P-MOS管Q2的S极相连，同时与第二电阻R2的一端、第三P-MOS管Q3的S极、第一电阻R1的一端相连；第一P-MOS管Q1的G极和第二P-MOS管Q2的G极相连，同时与第二电阻R2的另一端、第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第五电阻R5的一端、第三P-MOS管Q3的D极、第二陶瓷电容C2的一端相连；第一P-MOS管Q1的D极和第二P-MOS管Q2的D极相连，同时与第七电阻R7的一端、第三钽电容C3的正极端、第四钽电容C4的正极端相连；

所述第三钽电容C3的负极端接地；

所述第四钽电容C4的负极端接地；

所述第二陶瓷电容C2的另一端接地；

所述第一电阻R1的另一端与第三P-MOS管Q3的G极，同时与第一Molex接插件H1的第一引脚1相连。

所述第一Molex接插件H1的第二引脚2接地；

所述第三电阻R3的另一端与第二Molex接插件H2的第四引脚4相连；