[发明专利]一种纳米氧化铝薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710750500.0 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107686121B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 方长青;蒲梦园;周星;朱怡同;李欢;李航 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01F7/34 | 分类号： | C01F7/34;C01F7/44 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 杨璐 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化铝 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将硝酸铝和尿素溶于去离子水中后加入清洗后的硅片，在水浴条件下冷凝回流，再将硅片取出，经过干燥，硅片表面有一层带有衍射谱的Al(OH)3热脱水膜；
步骤2、将经步骤1处理后的硅片放入聚四氟乙烯水热反应釜中，加入去离子水，进行水热反应；
步骤3、待步骤2完成后，将聚四氟乙烯水热反应釜中的产物冷却至室温后干燥，硅片上形成一层无裂纹的纳米氧化铝薄膜；
所述步骤1中：硝酸铝与尿素的质量比为3.54～3.56：1；
所述步骤1中：去离子水的添加标准为：每克硝酸铝与尿素的混合物，添加10ml～11ml去离子水；
所述步骤2中：去离子水的添加量与硅片质量比分别为1～20：1；
所述步骤2中：水热反应的温度为200℃～202℃，时间为24h～25h。
2.根据权利要求1所述的一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中硅片的清洗方法如下：
先将硅片放入Piranha溶液中，再用油浴锅于100℃～110℃煮11h～13h，最后将硅片用乙醇浸泡、清洗。
3.根据权利要求1所述的一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，冷凝回流的条件是：在80℃～85℃水浴条件下搅拌加热2h～3h，搅拌速度为15r/min～25r/min。
4.根据权利要求1所述的一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，干燥条件是：在100℃～105℃干燥箱中加热干燥60min～70min。
5.根据权利要求1所述的一种纳米氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中：干燥温度为90℃～110℃。
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