[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710750724.1 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107799436B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 今井正芳;德重克彦;小仓大;渡边和英;国泽淳次;饭泉健;宫崎充 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
提供一种基板处理装置,具备:研磨部,该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨;第一清洗部,该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗;第二清洗部,该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗;干燥部,该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及一种基板处理方法。
背景技术
CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)装置等的基板处理装置使用浆料来对基板进行研磨,并在其后对基板进行清洗。但是,在基板处理装置内的清洗中,清洗力未必充分,大多使用与基板处理装置分体的基板清洗装置来对基板进行清洗。如此,有导致基板处理的工序数增加的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开第2008-114183号公报
专利文献2:日本特许第3725809号公报
本发明鉴于这样的问题点而完成,该课题是提供能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分的清洗的基板处理装置及基板处理方法。
发明内容
本根据本发明的一方式,提供一种基板处理装置,具备:研磨部,该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨;第一清洗部,该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗;第二清洗部,该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗后的基板进行清洗;干燥部,该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。
在基板处理装置内设置第一清洗部及第二清洗部。并且,通过使用硫酸及过氧化氢溶液的第一清洗部所进行的清洗,能够除去研磨液。通过使用碱性的药液及过氧化氢溶液的第二清洗部所进行的清洗,能够除去由第一清洗部所使用的硫酸产生的成分。由此,能够以较少的工序数对研磨后的基板进行充分清洗。
最好是,不具有使由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的所述基板干燥的机构。
并且,最好是,具备搬运部,该搬运部不使由所述研磨部研磨后的基板干燥就将该基板搬运到所述第一清洗部。
进一步,最好是,具备第一液体供给机构,该第一液体供给机构对由所述搬运部搬运中的基板冲淋液体。
并且,最好是,该搬运部具备基板站和第二液体供给机构,在所述基板站载放由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的基板,所述第二液体供给机构对载放于所述基板站的基板冲淋液体。
通过不使研磨后的基板干燥,能够在由第一清洗部进行清洗时更有效率地除去基板上的残渣。
最好是,所述第一清洗部收纳于第一框体,该第一框体设有可开闭的第一闸门,所述第二清洗部收纳于第二框体,该第二框体设有可开闭的第二闸门,所述干燥部收纳于第三框体,该第三框体设有可开闭的第三闸门。
由此,能够抑制第一清洗部所使用的硫酸、过氧化氢溶液侵入到第二清洗部、干燥部,能够抑制第二清洗部所使用的碱性的药液、过氧化氢溶液侵入到第一清洗部、干燥部。
最好是,具备第三清洗部,该第三清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗,所述第一清洗部对由所述第三清洗部清洗后的基板进行清洗。
最好是,所述第三清洗部一边将碱性的药液及过氧化氢溶液供给到所述基板,一边使清洗部件接触并清洗所述基板。
最好是,所述第二清洗部在使用碱性的药液及过氧化氢溶液对所述基板进行清洗之后,进行双流体喷射清洗。
通过这些结构,能够提高清洗能力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造