[发明专利]OLED面板的制作方法及OLED面板

权利要求书

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成OLED器件(20)；在所述基板(10)上于所述OLED器件(20)外围设置至少两圈相间隔的挡墙(31)，其中最内侧的一圈挡墙(31)在所述基板(10)上定义出发光区域；

步骤S2、沉积一层整面覆盖所述OLED器件(20)及所有挡墙(31)的第一无机阻挡层(41)；

步骤S3、在对应所述发光区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成一层有机缓冲层(50)，在对应每相邻两挡墙(31)之间区域的上方于所述第一无机阻挡层(41)上涂布形成加密层(60)；

步骤S4、沉积一层整面覆盖所述有机缓冲层(50)、所有加密层(60)、及所有挡墙(31)的第二无机阻挡层(42)。

2.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中采用喷墨打印的方式形成所述加密层(60)和所述有机缓冲层(50)；

所述加密层(60)的高度等于或小于所述挡墙(31)的高度；所述加密层(60)的高度等于或大于所述有机缓冲层(50)的高度。

3.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述加密层(60)的材料包括压克力、环氧树酯、硅氧烷、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、及氧化钛中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述加密层(60)包含吸湿剂以具有吸水功能。

5.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积形成所述第一无机阻挡层(41)；

所述步骤S4中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积形成所述第二无机阻挡层(42)；

所述步骤S1中所形成的挡墙(31)的材料为有机光阻材料；

所述有机缓冲层(50)的材料包括压克力、环氧树酯、及硅氧烷中的一种或多种；

所述第一无机阻挡层(41)、及第二无机阻挡层(42)的材料分别包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、及氧化钛中的一种或多种。

6.一种OLED面板，其特征在于，包括：

基板(10)；

设于所述基板(10)上的OLED器件(20)；

在所述基板(10)上并位于所述OLED器件(20)外围设置的至少两圈相间隔的挡墙(31)，其中最内侧的挡墙(31)在所述基板(10)上定义出发光区域；

整面覆盖所述OLED器件(20)及所有挡墙(31)的第一无机阻挡层(41)；

设于所述第一无机阻挡层(41)上对应位于所述发光区域上方的有机缓冲层(50)；

设置在每相邻两挡墙(31)之间的加密层(60)；

以及整面覆盖所述有机缓冲层(50)、所有加密层(60)、及所有挡墙(31)的第二无机阻挡层(42)。

7.如权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，所述加密层(60)的高度等于或小于所述挡墙(31)的高度；所述加密层(60)的高度等于或大于所述有机缓冲层(50)的高度。

8.如权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，所述加密层(60)的材料包括压克力、环氧树酯、硅氧烷、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、及氧化钛中的一种或多种。

9.如权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，所述加密层(60)包括吸湿剂以具有吸水功能。

10.如权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，所述有机缓冲层(50)的材料包括压克力、环氧树酯、及硅氧烷中的一种或多种；

所述第一无机阻挡层(41)、及第二无机阻挡层(42)的材料分别包括氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、及氧化钛中的一种或多种。