[发明专利]基板处理装置和喷嘴清洗方法有效
申请号: | 201710755442.0 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799438B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 三浦淳靖;池田昌秀;辻川裕贵;藤田和宏;土桥裕也 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 喷嘴 清洗 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
具备:
基板保持单元,一边将配置于基板保持位置的基板保持为水平,一边使该基板旋转,
下面喷嘴,其作为第一清洗喷嘴,该下面喷嘴朝向所述基板保持位置并向上方喷出液体,
第一清洗液供给单元,通过向所述下面喷嘴供给清洗液,使所述下面喷嘴喷出清洗液,
上面喷嘴,包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置并向下方喷出液体,
喷嘴移动单元,使所述上面喷嘴至少沿着水平方向移动,
控制装置,控制所述第一清洗液供给单元和喷嘴移动单元、
第三清洗喷嘴,朝向位于第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液,
风扇单元,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方的位置,向下方输送气体,以及,
整流部件,配置于比所述基板保持单元和上面喷嘴更靠上方、且比所述风扇单元更靠下方的位置,设置有用于将所述风扇单元所输送的气体向下方引导的多个贯通孔;
所述控制装置执行:
液柱形成工序,在所述基板保持单元没有保持基板时,通过使所述下面喷嘴喷出清洗液,形成从所述下面喷嘴向上方延伸的液柱,以及,
第一下垂部清洗工序,与所述液柱形成工序并行地执行,通过使所述上面喷嘴在所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第一位置和所述上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第二位置之间水平地往返,使所述上面喷嘴经过所述第一中间位置,并且,一边使所述上面喷嘴在所述第一位置和所述第二位置之间水平地往返,一边使所述下面喷嘴和第三清洗喷嘴喷出清洗液,所述第一中间位置指,在俯视时所述上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置,
所述第三清洗喷嘴包括位于所述整流部件的上方的上方部、从所述上方部经由设置于所述整流部件的插入孔延伸到所述整流部件的下方的位置的顶端部、设置于所述顶端部并位于所述整流部件的下方的第三清洗液喷出口;从所述第三清洗液喷出口朝向位于所述第一中间位置的所述上面喷嘴的下垂部向下方喷出清洗液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在所述液柱形成工序中,以使所述液柱的上端位于比所述上面喷嘴的水平部的下缘更靠上方的位置的方式,形成所述液柱。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二上面喷嘴,所述第二上面喷嘴包括沿着水平方向延伸的水平部、从所述水平部的顶端向下方弯曲的拐角部、从所述拐角部向下方延伸的下垂部、在所述下垂部的下面开口的上喷出口,从所述上喷出口朝向所述基板保持位置并向下方喷出液体;
所述喷嘴移动单元使所述第二上面喷嘴和所述上面喷嘴一起至少沿着水平方向移动;
所述控制装置还执行第二下垂部清洗工序,所述第二下垂部清洗工序与所述液柱形成工序并行地执行,在所述第二下垂部清洗工序中,通过使所述第二上面喷嘴在所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的所述第二位置和所述第二上面喷嘴的下垂部没有接触所述液柱的第三位置之间水平地往返,使所述第二上面喷嘴经过第二中间位置,所述第二中间位置指,在俯视时所述第二上面喷嘴的上喷出口与所述液柱重叠的位置。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二处理液配管,所述第二处理液配管向所述第二上面喷嘴供给与向所述上面喷嘴供给的液体不同的种类的液体;
在所述第二下垂部清洗工序中,使所述第二上面喷嘴以比所述第一下垂部清洗工序中的所述上面喷嘴的往返次数更少的次数,在所述第二位置和所述第三位置之间水平地往返。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备第二清洗喷嘴,所述第二清洗喷嘴朝向位于待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液,所示待机位置指,在俯视时所述上面喷嘴配置于所述基板保持单元的周围的位置,
所述控制装置还执行水平部清洗工序,在所述水平部清洗工序中,使所述第二清洗喷嘴朝向位于所述待机位置的所述上面喷嘴的水平部喷出清洗液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造