[发明专利]一种芯片双面封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片双面封装结构，其特征在于，包括：

基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；

存储器芯片堆栈体，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第一表面上，主要由多个存储芯片堆栈组成，所述存储器芯片堆栈体具有一安装表面；

第一重布线层，形成于所述存储器芯片堆栈体的所述安装表面上，电性连接各所述存储芯片至所述基板；

缓存芯片，覆晶接合方式设置在所述基板的所述第二表面的中央区域；

端子，设置于所述基板的所述第二表面上；及

第一塑封体和第二塑封体；所述第一塑封体形成于所述基板的所述第一表面上，密封所述存储器芯片堆栈体；所述第二塑封体形成于所述基板的所述第二表面上，密封所述缓存芯片及所述端子与所述基板的所述第二表面的连接位置处，构成双面模封型态；

第一底胶，形成于所述存储器芯片堆栈体与所述基板的所述第一表面之间，并使所述第一底胶延伸扩散到所述存储器芯片堆栈体靠近所述基板一端的外缘，且所述第一底胶在所述存储器芯片堆栈体外缘的侧面的覆盖高度使设有所述第一重布线层的所述存储芯片的侧面被实质覆盖；

所述第一重布线层的一侧表面上形成多个第一连接垫，所述基板的所述第一表面上形成多个与所述第一连接垫对应的第二连接垫，各所述第一连接垫与各所述第二连接垫电性连接。

2.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，所述基板包括电性贯穿所述基板的导通线路和在所述第二表面上的扇出线路，所述导通线路电性连接所述缓存芯片和所述端子至所述第一重布线层，所述扇出线路电性连接所述缓存芯片至所述端子。

3.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，每一所述存储芯片上均包括有多个用于电性沟通的导电穿孔，所述第一重布线层电性连接各所述导电穿孔至所述基板。

4.如权利要求3所述的芯片双面封装结构，其特征在于，各所述存储芯片通过设置在各所述导电穿孔端部的第一凸块相互电性连接。

5.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，所述端子包含设置在所述缓存芯片外围的多个焊球。

6.如权利要求5所述的芯片双面封装结构，其特征在于，所述基板在所述第二表面上形成金属垫，使所述焊球与所述基板的接合更稳固。

7.如权利要求5所述的芯片双面封装结构，其特征在于，所述缓存芯片的厚度小于所述端子的焊球直径。

8.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，还包括第二底胶，形成于所述缓存芯片的一侧表面与所述基板的所述第二表面之间。

9.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，所述基板为所述第二表面具有单面重布线层和硅穿孔结构的硅中介板。

10.如权利要求1所述的芯片双面封装结构，其特征在于，各所述第一连接垫与各所述第二连接垫通过形成在所述第一连接垫上的第二凸块电性连接。